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800MHz低了 镁光推出1066MHz内存芯片

以前,老的DIY玩家可能都知道“StarRam(星存)”这个内存品牌,其实“StarRam”是由美国知名半导体公司——Micron(镁光)在大陆地区推出的独立品牌。之前,镁光内存主要供货于OEM市场,在IBM、COMPAQ、HP、Dell等国际知名

分类:新品快报 时间:2007/5/14 阅读:1143

内存芯片价格五月继续下滑 仍有下降空间

据市场研究公司Gartner表示,上周中多种不同容量的内存(DRAM)芯片集成电路(IC)的现货价格延续了今年以来的跌势,继续不断下滑。Gartner表示,和上一周相比,各种容量和技术的内存芯片平均现货价格的降幅是5.7%,当中价格下跌最严重的是5

分类:维库行情 时间:2007/5/10 阅读:1023

三星研发首款“3D”内存芯片

IBM日前宣布“穿透硅通道”(TSV)技术取得重大突破,很快就能提供商用的堆叠式“3D”处理器芯片;现在,三星率先将这一技术用在了DRAM内存领域,开发出了全球首款堆叠式“3D”内存芯片,内存条的容量也将因此大大增加。三星的这种“晶圆级...

分类:新品快报 时间:2007/4/26 阅读:171 关键词:内存三星

内存芯片参数介绍

具体含义解释:例:SAMSUNGK4H280838B-TCB0主要含义:第1位——芯片功能K,代表是内存芯片。第2位——芯片类型4,代表DRAM。第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。第4、5位——容

分类:业界要闻 时间:2007/4/20 阅读:888 关键词:芯片

英特尔展示相变内存芯片 欲取代现有闪存技术

本周二,英特尔展示了一种基于问世近30年概念的内存芯片。代号为Alverston的这款芯片属于一种相变内存(phasechangememory)芯片,英特尔技术总监贾斯廷在英特尔开发商论坛(IDF)上展示了128位的Alverston芯片样品。英特

分类:新品快报 时间:2007/4/19 阅读:719 关键词:英特尔

nvidia:2.4v电压有损高频DDR2内存芯片

根据一份来自Nvidia和EVGA的联合声明,两家厂商警告采用基于nvidianforce680isli芯片组,支持芯片组内嵌高速DDR2内存控制器模块的高频内存模组产品很可能会因为工作在非标准的高电压设定数值状态下造成内存芯片的损害。根据nv

时间:2007/4/12 阅读:1133 关键词:DDR2

海力士:第四季度DRAM内存芯片均价上涨9%

海力士半导体周三表示,该公司第四季度DRAM内存平均价格上涨9%,第三季度季涨幅也为9%。NAND型闪存第四季度跌价11%,第三季则为下跌24%。微软Vista的发布,将推动PC内存需求水涨船高,DRAM内存有望在07年表现坚挺。

分类:维库行情 时间:2007/4/12 阅读:1020 关键词:DRAM

3月末内存芯片价格诡异攀升 疑为反弹信号

根据部分存储芯片行业内人士分析,3月30日的品牌及非品牌内存(DRAM)芯片价格的反常变化让人怀疑这可能是内存现货价格将在短期内触底的信号。在3月30日当天,品牌内存芯片的价格单日平均升幅是8%,而非品牌芯片(包括有效测试芯片)的价格...

分类:维库行情 时间:2007/4/5 阅读:903

内存芯片价格诡异攀升 疑为触底反弹信号

根据部分存储芯片行业内人士分析,3月30日的品牌及非品牌内存(DRAM)芯片价格的反常变化让人怀疑这可能是内存现货价格将在短期内触底的信号。在3月30日当天,品牌内存芯片的价格单日平均升幅是8%,而非品牌芯片(包括有效测试芯片)的价格...

时间:2007/4/4 阅读:538

3月末内存芯片价格诡异攀升 疑为触底反弹信号

根据部分存储芯片行业内人士分析,3月30日的品牌及非品牌内存(DRAM)芯片价格的反常变化让人怀疑这可能是内存现货价格将在短期内触底的信号。在3月30日当天,品牌内存芯片的价格单日平均升幅是8%,而非品牌芯片(包括有效测试芯片)的价格...

分类:维库行情 时间:2007/4/4 阅读:915

现代半导体开发功耗的512MB内存芯片

现代半导体日前表示,已经开发出世界上最快并且功耗的512mb内存芯片,据悉该产品将用于手机等移动设备。据《韩国时代》报道,该产品将广泛用于电子产品领域,而功耗方面的优势将十分明显,现代表示该产品大规模生产将在今年后半年。据悉...

分类:名企新闻 时间:2007/3/21 阅读:161 关键词:半导体

现代半导体开发出功耗512MB内存芯片

3月19日消息,现代半导体日前表示,已经开发出世界上最快并且功耗的512mb内存芯片,据悉该产品将用于手机等移动设备。据《韩国时代》报道,该产品将广泛用于电子产品领域,而功耗方面的优势将十分明显,现代表示该产品大规模生产将在今年...

分类:新品快报 时间:2007/3/20 阅读:968 关键词:半导体

现代半导体开发出功耗的512MB内存芯片

3月19日消息,现代半导体日前表示,已经开发出世界上最快并且功耗的512MB内存芯片,据悉该产品将用于手机等移动设备。据《韩国时代》报道,该产品将广泛用于电子产品领域,而功耗方面的优势将十分明显,现代表示该产品大规模生产将在今年...

分类:业界要闻 时间:2007/3/19 阅读:153 关键词:半导体

美光科技发布捆绑NAND闪存的1Gb移动DRAM内存芯片

美光科技公司(MicronTechnology,Inc.)在3GSM世界大会上,面向拥有多媒体和计算功能的高端移动电话发布了新型1Gb移动DRAM内存芯片。美光科技将把新的1Gb移动DRAM内存芯片和1、2、4GbNAND闪存芯片捆绑在一起,构成强

分类:名企新闻 时间:2007/3/7 阅读:855 关键词:DRAMNAND

三星发现能够封装16个内存芯片的新封装技术

韩国三星电子公司在寻求使MP3播放机和手机尺寸变得更小的方法中已经发现了一种新的封装技术,这种新技术使在原来仅仅能够容纳1个内存芯片的空间中封装16个内存芯片。当采用8Gb的闪存芯片时,整个模块的容量将达到16GB。由于这种多芯片封...

分类:业界要闻 时间:2007/3/2 阅读:245 关键词:三星