根据一份来自Nvidia和EVGA的联合声明，两家厂商警告采用基于nvidia nforce 680i sli芯片组，支持芯片组内嵌高速DDR2 内存控制器模块的高频内存模组产品很可能会因为工作在非标准的高电压设定数值状态下造成内存芯片的损害。
根据nvidia和EVGA联合发布的声明，nvidia针对终端用户的调查研究报告显示，高性能的高电压设定内存模组在nvidia nforce 680i sli芯片组主板平台上可能会产生意想不到的问题。
由于高达2.4v甚至以上的高电压很可能造成DRAM内存芯片中的硅晶体模块延迟效应被过度挖掘而受损。
nvidia同时还强调，这种情况下所造成的内存硅晶体芯片模块受损并非是由nvidia的nforce 680i sli芯片组所造成的，而是内存模组芯片电压被毫无节制提升而造成的，这对于任何运行在高频，超高电压的内存模组芯片而言，在任何芯片组平台上都可能出现问题。
当前nvidia所发布的nforce 680i sli芯片组标明只支持1200MHz的DDR2内存模组，但是当前并没有多少家品牌的内存模组可以运行到1100MHz。
目前海盗船的2GB套装TWIN2X2047-10000 C5DF可以运行在1250MHz，不过电压设定在非常危险的2.4v，不过这套内存已经是通过nvidia sli certificate的套装产品，可以提供足够的兼容性和稳定性表现力。
至于内存模组厂商看到nvidia该声明是不是会注意到不再为高频运作的内存模组设定高达2.4v的工作电压，这就要看厂商的态度了，而且超频玩家在采购这类模组产品的时候，也应该看看具体的电压设定，以及是否有通过nvidia的安全运行系统。
nvidia建议终端用户，如果玩家用户想超频到更高成绩的话，能提前联系相关的内存制造商，或者系统设备供应商，以便了解更多相关内存模组产品的性能设定资料，以及质保信息等等，以免因为意外超频而损失质保条件。
