据国外媒体报道，韩国半导体制造商海力士债权方今日任命权五哲（O.C.Kwon）为公司新任首席执行官，接替此前的金钟甲（KimJong-Kap），金将出任公司董事长一职。债权方同时宣布将在今年出售公司13%的股份。海力士半导体的主要债权人韩国外...
三星电子宣布，该公司已经在业内家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4GbDDR3内存芯片。这种内存芯片支持1.5V和1.35V两种工作电压，可组装成16/32GBRDIMM服务器内存条或者8GBSO-DIMM笔记本内存条，性能1.6Gbps，
2月24日消息，市场研究公司iSuppli预计，今年全球DRAM内存芯片市场增幅将超过40%，也是3年来的首次增长。据报道称，iSuppli表示，今年全球DRAM内存芯片销售额将增长至319亿...
分类：行业趋势 时间：2010/2/24 阅读：1523 关键词：DRAM
据台湾《经济日报》报道，台系内存厂商力晶公司决定重启其在大陆徐州建造8英寸内存芯片厂的计划，报道称力晶公司计划向这间新厂房投资2.93亿美元，并将与当地政府部门和大陆当地企业合作经营这间芯片厂。与台积电以及茂德公司类似，力晶...
分类：名企新闻 时间：2010/2/24 阅读：1088
北京时间2月3日消息，据报道，消息人士透露，欧盟监管机构计划对三星电子、英飞凌、海力士等十家内存芯片厂商提供诉讼，指责这些厂商操控价格，违背欧盟反垄断法规。消息人士称，欧盟委员会的指控有可能在本周或下周做出。三星电子和海力...
分类：名企新闻 时间：2010/2/4 阅读：1311 关键词：三星
三星电子宣布，颗采用30nm级别工艺的DDR3DRAM内存芯片已经通过客户认证。注意这里说的是30nm级别工艺(30-nmclass)，而不是真正的30nm，也就是说有可能是38nm之类的。三星此前投产的3-bitMLCNAND、异步DDR
分类：新品快报 时间：2010/2/2 阅读：315 关键词：DDR3
据内存业者透露，由于沉浸式光刻设备的交货日程有所延长，因此南亚，华亚(南亚与镁光的合资厂)两家内存芯片制造商今年转向50nm级别制程节点的计划有可能会后延.而另一家台系内存芯片厂商瑞晶(力晶与尔必达的合资厂)计划于今年二月份开始...
分类：业界要闻 时间：2010/1/26 阅读：1152
据韩国媒体报道，全球内存芯片生产商三星电子今年可能加大对内存芯片的投资，并建立一条新生产线。报道援引不具名业内人士的话称，三星电子今年半导体业务的资本支出约为7兆(万亿)韩元(61亿美元)。三星10月曾表示，今年计划在内存芯片上...
分类：名企新闻 时间：2010/1/25 阅读：712 关键词：生产线
1月22日消息，据报道，全球内存芯片生产商三星电子今年可能加大对内存芯片的投资，并建立一条新生产线。报道援引不具名业内人士的话称，三星电子今年半导体业务的资本支出约为7兆(万亿)韩元(61亿美元)。三星10月曾表示，今年计划在内存芯...
分类：名企新闻 时间：2010/1/22 阅读：187 关键词：生产线
北京时间1月14日消息，据报道，受DRAM内存芯片价格上涨刺激，三星电子和海力士半导体股价14日大涨。韩华证券(HanwhaSecurities)的分析师SeoDo-won表示：“虽然历年的季度都是内存芯片的销售淡季，但是数据表明，芯片价格
分类：业界动态 时间：2010/1/15 阅读：2687 关键词：三星
Hynix 44nm制程2Gb低功耗DDR2内存芯片产品开发完成
韩国内存厂商Hynix日前宣布他们已经完成了2Gb密度低功耗DDR2内存芯片产品的开发，这款产品将主要面向移动设备，可在智能手机，平板电脑等移动设备上使用，Hynix并称这种芯片将于今年上半年开始投入量产。这款内存芯片产品的数据传输率可...
分类：名企新闻 时间：2010/1/14 阅读：469 关键词：DDR2
业界分析机构DRAMeXchange表示，受消费者需求和企业更新PC拉动影响，预计明年下半年计算机芯片将出现紧缺。芯片厂商受经济低迷打击削减产量和资本支出，导致DRAM芯片紧缺，其价格在今年一直上涨，DRAM价格在过去两个月中已企稳。DRAMeXc
分类：行业趋势 时间：2009/12/30 阅读：329
尔必达公司近日宣布完成了基于其新65nmXS(extra-shink)制程1GbDDR3内存芯片产品的开发工作，并称使用这种新制程技术制作出的内存芯片在制作成本方面要比现有的50nm制程内存芯片更低。当应用在300mm尺寸晶圆上时，这种65nmXS
北京时间12月11日消息，日本电脑内存芯片厂商尔必达CEOYukioSakamoto10日在东京接受采访时表示，由于行业内的需求增长大于生产增长，公司可在3年内轻松实现运营盈利。Sakamoto表示：“我们可以轻松实现运营盈利，现在市场供应已经
分类：名企新闻 时间：2009/12/11 阅读：979 关键词：芯片
Hynix40nm 2Gb DDR3内存芯片通过Intel验证
韩国Hynix公司宣布其40nm制程2GbDDR3内存芯片产品通过了Intel的认证,Hynix并称将开始批量生产这种芯片产品,另外他们还宣称面向服务器应用的RegisteredDIMM产品的验证工作也将于年底前顺利完成.这次通过验证的Hynix产
