韩国媒体报道，由于DRAM内存芯片价格不断下跌，近期又有华为事件的影响，SK海力士正在计划推迟位于中国无锡的全球内存芯片工厂的投产计划。 SK海力士无锡二厂竣工：冲击...
据韩媒The Investor报道，由于中美贸易摩擦愈演愈烈，韩国内存芯片大厂SK海力士有意放缓在中国工厂的投产计划。 延缓投产计划，或华为有关？ SK海力士原本计划于今年的第3季度，全面开始运营其位于中国江苏无锡的C2F DRAM制造...
分类：名企新闻 时间：2019/6/20 阅读：1350
受华为事件与 DRAM 芯片价格下跌双重打击，SK 海力士怎么样了？
这家韩国芯片制造商计划在今年4月工厂完工后，于第三季度在无锡启动名为C2F的新DRAM制造工厂的全面运营。 SK海力士花费9500亿韩元在两年多的时间里建造了这座工厂，这是自2006年以来运行的现有C2存储芯片设施的补充。它的目标是推出基...
分类：业界动态 时间：2019/6/19 阅读：619 关键词：DRAM 芯片价格
日前，SK海力士位于重庆西永微电园的二期存储芯片封装测试项目1.6万平方米的工厂主体建筑已建成，预计6月中旬进行设备安装，预计将于第三季度开始陆续投产。 SK海力士封...
分类：名企新闻 时间：2019/5/17 阅读：1406 关键词：SK海力士
3D NAND 堆栈发展至 96 层，这是接下来一段时间内的市场主流。 2018 年底，SK Hynix（SK海力士）发表 96 层堆栈快闪存储器，是为 TLC 类型、单一裸晶容量 512Gb（64GB）产品，还特地取了个有意思的 4D NAND 名词（本质和 3D NAND 相仿...
分类：名企新闻 时间：2019/5/13 阅读：472 关键词：SK海力士
英特尔H10存储器威胁服务器市场，三星与 SK 海力士也将推新品
而对于来势汹汹的英特尔，三星与 SK 海力士随即表示，将推出相类似的产品以抗衡英特尔。因此，服务器存储器大展进入一触即发的状态。 根据韩国媒体《ETnews》的报导，...
据ETnews报道，英特尔强势入局服务器存储器市场，日前已经推出了一种结合DRAM与NAND Flash优势于一体的新一代Intel Optane存储器H10。 有人预测，这种新的存储器可以...
SK海力士近日宣布，将在提高代10nm级工艺(1xnm) DRAM内存芯片产能的同时，今年下半年开始销售基于第二代10nm级工艺(1ynm)的内存芯片，并为下代内存做好准备。SK海力士首款1...
分类：名企新闻 时间：2019/4/30 阅读：855 关键词：SK海力士
SK海力士近日宣布，将在提高代10nm级工艺(1xnm) DRAM内存芯片产能的同时，今年下半年开始销售基于第二代10nm级工艺(1ynm)的内存芯片，并为下代内存做好准备。 SK海力士...
4月25日，近期由于智能手机方面的市场表现出现低谷，导致内存芯片的价格持续下跌。这使得的内存生产厂商SK海力士，遭遇了2012年来的营收滑坡，其季度营业利润同比大跌69%。...
抢逻辑芯片代工！SK 海力士欲购并MagnaChip部分8寸产能
根据《路透社》引用知情人士的消息报导指出，韩国存储器大厂 SK 海力士正在考虑收购部分逻辑芯片制造商美格纳（MagnaChip）的产能，用于扩大其 8 寸晶圆的生产线。 报导指出，与存储器龙头三星相同，SK 海力士由于近来全球存储器市场...
K海力士半导体(中国)有限公司(下简称“SK海力士”)举行主题为“芯的飞跃、芯的未来”的竣工仪式，宣布SK海力士二工厂项目竣工。 为确保在全球半导体行业的地位，全球排名第二的DRAM半导体生产商SK海力士株式会社于2017年6月决定在江苏...
分类：业界要闻 时间：2019/4/19 阅读：750 关键词：海力士
韩联社报导，全球记忆体芯片巨擘三星及SK海力士（SK hynix）去年研发支出创新高，盼在全球芯片市场低迷之际能持盈保泰，守住地位并开发新兴技术。 南韩三星电子2日表示，去年研发支出比一年前增加11%至18.7兆韩元（165亿美元），相当...
为抵抗半导体不景气的状况，三星电子、SK海力士积极研发高附加价值产品，并在去年进行有史以来规模的研究开发（R&D）投资。 韩媒《朝鲜日报》指出，虽然去年下半年...
SK海力士推出创新ZNS SSD，较传统SSD性能提高30％
随着AI人工智能、5G、物联网等技术的发展，大数据时代的到来，给数据存储的高性能和经济效益提出更高的要求，尤其是在大数据中心和企业服务器存储领域。 为了满足市场需求，英特尔和美光发布3D Xpoint技术，英特尔更是将其大力推广到...
