SK海力士公布的第二季度财报显示，营收年减38%至6.5万亿韩元，营业净利较去年同期狂减89%至6,380亿韩元(约合5.419亿美元)，净利也从去年同期的4.3万亿韩元大减88%至5,370亿...
分类：名企新闻 时间：2019/7/25 阅读：1205 关键词：SK海力士
据韩联社报道，韩国芯片制造商SK海力士CEO李锡熙（Lee Seok-hee）周日飞往日本，解决原材料问题。 SK海力士声称，CEO飞往日本只为寻找方法，看看有没有办法确保半导体材...
分类：业界动态 时间：2019/7/22 阅读：1542 关键词：SK海力士
“目前，公司二期工程正进行设备搬入，投产后，产能将扩至现在的2.5倍，年生产芯片将有望接近20亿只。”7月12日，SK海力士半导体（重庆）有限公司对外协力总监姜真守谈及公...
据媒体曝料，韩国存储巨头SK海力士计划收购Intel位于中国大连的Fab 68工厂和相应的NAND闪存业务，双方已展开谈判。7月4日起，日本开始对韩国执行经济制裁，限制三大品类半...
据路透社报道，由于韩日两国发生纠纷，日本加强出口管制，韩国芯片制造商和日本化学供应商正在寻找办法减轻管制带来的影响。 上周日本突然宣布，3种材料出口到韩国时不再给予优惠待遇，而且每次出货时出口商都必须获得许可，拿到许可...
SK海力士宣布，已经家研发成功并批量生产128层堆叠的4D NAND闪存芯片，此时距离去年量产96层4D闪存只过去了八个月。 本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/201906/401962.htm SK海力士由此实现了业内的闪存垂直堆叠密度，...
继三星和美光之后，韩国存储器大厂SK海力士也决定放缓大陆无锡DRAM新厂原订每月高达18万片产能的增产脚步。 SK海力士原本计划于今年的第3季度，全面开始运营其位于中国江苏无锡的C2F DRAM制造工厂，建设完成后将采用产先进的10nm级DRA...
韩国媒体报道，由于DRAM内存芯片价格不断下跌，近期又有华为事件的影响，SK海力士正在计划推迟位于中国无锡的全球内存芯片工厂的投产计划。 SK海力士无锡二厂竣工：冲击...
据韩媒The Investor报道，由于中美贸易摩擦愈演愈烈，韩国内存芯片大厂SK海力士有意放缓在中国工厂的投产计划。 延缓投产计划，或华为有关？ SK海力士原本计划于今年的第3季度，全面开始运营其位于中国江苏无锡的C2F DRAM制造...
分类：名企新闻 时间：2019/6/20 阅读：1350
受华为事件与 DRAM 芯片价格下跌双重打击，SK 海力士怎么样了？
这家韩国芯片制造商计划在今年4月工厂完工后，于第三季度在无锡启动名为C2F的新DRAM制造工厂的全面运营。 SK海力士花费9500亿韩元在两年多的时间里建造了这座工厂，这是自2006年以来运行的现有C2存储芯片设施的补充。它的目标是推出基...
分类：业界动态 时间：2019/6/19 阅读：624 关键词：DRAM 芯片价格
日前，SK海力士位于重庆西永微电园的二期存储芯片封装测试项目1.6万平方米的工厂主体建筑已建成，预计6月中旬进行设备安装，预计将于第三季度开始陆续投产。 SK海力士封...
分类：名企新闻 时间：2019/5/17 阅读：1408 关键词：SK海力士
3D NAND 堆栈发展至 96 层，这是接下来一段时间内的市场主流。 2018 年底，SK Hynix（SK海力士）发表 96 层堆栈快闪存储器，是为 TLC 类型、单一裸晶容量 512Gb（64GB）产品，还特地取了个有意思的 4D NAND 名词（本质和 3D NAND 相仿...
分类：名企新闻 时间：2019/5/13 阅读：472 关键词：SK海力士
英特尔H10存储器威胁服务器市场，三星与 SK 海力士也将推新品
而对于来势汹汹的英特尔，三星与 SK 海力士随即表示，将推出相类似的产品以抗衡英特尔。因此，服务器存储器大展进入一触即发的状态。 根据韩国媒体《ETnews》的报导，...
据ETnews报道，英特尔强势入局服务器存储器市场，日前已经推出了一种结合DRAM与NAND Flash优势于一体的新一代Intel Optane存储器H10。 有人预测，这种新的存储器可以...
SK海力士近日宣布，将在提高代10nm级工艺(1xnm) DRAM内存芯片产能的同时，今年下半年开始销售基于第二代10nm级工艺(1ynm)的内存芯片，并为下代内存做好准备。SK海力士首款1...
分类：名企新闻 时间：2019/4/30 阅读：855 关键词：SK海力士
