SK 海力士

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中国首台ASML NXT2000i正式入驻SK海力士无锡工厂

据ASML证实,此次入驻SK海力士无锡工厂确为NXT2000i,也即NXT2000。ASML解释道,i是immersion的意思。NXT2000都是immersion的机器。所以NXT2000即NXT2000i。   据...

分类:业界要闻 时间:2018/12/21 阅读:2354 关键词:SK海力士

三星、SK海力士高层人事异动

2018年受中国市场需求疲软的影响,全球智能型手机出货表现不佳,再加上存储器市场NAND Flash和DRAM价格大幅下滑,半导体景气表现疲软,未来2年内半导体景气仍将面临挑战,为了寻求突破,三星、SK海力士在半导体等相关部门高层换血。  ...

分类:业界动态 时间:2018/12/10 阅读:439 关键词:SK海力士三星

SK 海力士在无锡投1000万美元,扩大晶圆生产

SK Hynix是仅次于三星的第二大DRAM内存芯片供应商,全球市场份额接近30%,同时还是全球主要的NAND供应商之一,也正因为内存及闪存芯片业务的增长,SK Hynix今年将挤下台积电成为全球第三大半导体公司,仅次于三星及英特尔。   不过DRA...

分类:名企新闻 时间:2018/11/26 阅读:494 关键词:海力士晶圆

半导体人才外流中国 三星、SK海力士苦恼对策

越来越多韩国技术人才往中国发展,这趋势也受到韩国政府的重视,几个月前开始,三星电子、SK海力士就与产业通商资源部(简称产业部)周期性地举办防堵半导体人才外流的会议,虽然尚未有具体对策,但在不违反现有法律的情况下,要如何从源...

分类:业界动态 时间:2018/11/23 阅读:468 关键词:SK海力士半导体

1000万美元 SK海力士增资无锡晶圆代工业务

据韩国媒体亚洲经济报道,SK海力士透过子公司SK Hynix System IC向无锡晶圆代工事业出资1,000万美元,资金用途视厂房兴建计划而定,无锡新工厂计划于2019年下半年竣工,从2...

分类:名企新闻 时间:2018/11/23 阅读:530 关键词:SK海力士

三星、SK海力士太猛,韩企占据四分之三内存市场份额

由于出货量增加,以三星和SK海力士为主的韩国芯片制造商在截至9月份的第三季度全球DRAM市场收入占据了74.6%。   三星在今年7月份成功开发出10nm级别的LPDDR5 DRAM,在...

分类:业界动态 时间:2018/11/21 阅读:548 关键词:SK海力士内存三星

SK海力士首发标准DDR5内存

据介绍,新内存采用SK海力士自家的1Ynm工艺制造,电压是标准的1.1V,相比于DDR4 1.2V可节省30%的功耗,同时工作频率高达5200MHz,相比于DDR4 3200MHz快了足有60%,带宽也高达41.6GB/s,可以每秒传输11部全高清电影。SK海力士计划2020年起...

分类:名企新闻 时间:2018/11/19 阅读:420 关键词:SK海力士

SK海力士标准DDR5内存:单颗2GB 高频5.2GHz

SK海力士官方宣布,已经研发出单颗容量16Gb(2GB)的下一代DDR5 DRAM内存颗粒,而且是款满足JEDEC标准规范的DDR5。   新内存采用SK海力士自家的1Ynm工艺制造,电压是标准的1.1V,相比于DDR4 1.2V可节省30%的功耗,同时工作频率高达5200...

分类:名企新闻 时间:2018/11/16 阅读:513 关键词:DDR5内存SK海力士

SK海力士明年存储器半导体市场投资会比竞争品牌三星、美光还要多

SK海力士正在加速DRAM技术开发的速度,韩国证券也预测,SK海力士明年存储器半导体市场投资会比竞争品牌三星、美光还要多。   SK海力士不仅在存储器半导体活跃,根据IC Insights的市调结果,在整个半导体市场中,今年的销售额达到全球...

分类:名企新闻 时间:2018/11/15 阅读:447 关键词:SK海力士

SK海力士1Ynm DDR4芯片研制完成:8Gb容量、功耗减少15%

SK海力士1Ynm DDR4芯片研制完成:8Gb容量、功耗减少15%SK Hynix(SK海力士)宣布研发完成基于1Ynm工艺的8Gb(1GB)容量DDR4 DRAM芯片。   该芯片支持3200Mbps,即3200MH...

分类:名企新闻 时间:2018/11/13 阅读:483 关键词:DDR4芯片海力士

10纳米DRAM制程竞争升温,SK海力士、美光加速追赶三星

10纳米级DRAM先进制程竞争逐渐升温,三星电子在2017年率先宣布量产第二代10纳米(1y)制程DRAM,目前传出进入第三代10纳米(1z)制程开发。SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)也在不断加速先进制程研发速度,追赶三星,预计2019年起将陆续展开...

分类:业界动态 时间:2018/11/12 阅读:352 关键词:DRAMSK海力士

首款!SK海力士成功研发96层4D NAND闪存 年内量产

SK海力士成功开发出了层数最多的96层4D(四维)NAND闪存半导体。   11月4日,SK海力士公司宣布,“公司将主要应用于3D闪存的CTF结构与PUC技术结合起来,在上月全球率先研发出96层512Gbit的4D NAND闪存半导体,计划在今年年内进行批量产...

分类:名企新闻 时间:2018/11/5 阅读:470 关键词:NAND闪存SK海力士

Cypress与SK海力士子公司成立合资企业 经营NAND Flash业务

近日,Cypress半导体(赛普拉斯)公司宣布已与SK海力士旗下子公司SK Hynix System IC成立合资公司。该合资企业将设立在香港。在股权分配上,SK Hynix System IC公司占有60%的股份,Cypress公司则拥有40%的股权。   在合作的前五年时...

分类:名企新闻 时间:2018/10/31 阅读:672 关键词:NAND Flash

SK海力士三季度盈利增长73%至6.5万亿韩元 芯片市场疲软仍创历史新高

韩国SK海力士周四公布第三季度盈利。尽管芯片价格疲软,但由于移动设备的季节性销售增长和服务器需求强劲,公司盈利超出预期。   SK海力士为全球第二大内存芯片制造商,其表示7月至9月的营业利润同比增长73%至6.5万亿韩元(57亿美元...

分类:名企新闻 时间:2018/10/26 阅读:414 关键词:SK海力士芯片

SK海力士韩国M15工厂落成 未来冲刺NAND Flash市场

根据韩国媒体报导,韩国存储器大厂SK海力士于10月4日在韩国忠清北道清州举行M15半导体工厂启用典礼,并开始生产第5代96层堆叠的3D NAND Flash快闪存储器,这也将巩固SK海力士全球第二大存储器制造商的地位。   报导指出,SK海力士在M1...

分类:名企新闻 时间:2018/10/9 阅读:719 关键词:NAND Flash市场SK海力士