继三星电子(SamsungElectronics)之后,SK海力士(SKHynix)也进军超高速固态硬盘(SSD)市场。将推出应用非挥发性存储器储存装置(NVMe)标准的SSD。据韩媒Newsis报导,日前业界消息传出,SK海力士已投入量产NVMe
分类:业界要闻 时间:2015/9/1 阅读:1115 关键词:SSD
三星、SK海力士助推 NAND Flash主导下半年设备投资
DRAM与NANDFlash市场预期下半年将持续荣景,主要设备厂商业绩也有望改善。其中的幕后推手就是三星电子(SamsungElectronics)和SK海力士(SKHynix)。据ETNews指出,最主要的原因就在于下半年的设备投资将以NAN
受惠DRAM事业蓬勃发展,三星Q1半导体事业营收与营利成长率都胜过英特尔。三星官网2015年第1季半导体前五大业者中,只有三星电子(SamsungElectronics)与SK海力士(SKHynix...
分类:业界要闻 时间:2015/7/8 阅读:4493 关键词:DRAM
SK海力士(SKhynix)追上记忆体龙头三星电子(SamsungElectronics)进度,9日宣布量产LPDDR4,已经供货给LG电子(LGElectronics)的旗舰智能。韩联社9日报导,SK海力士表示,该公...
分类:名企新闻 时间:2015/2/13 阅读:668
三星电子和世界的内存芯片制造商SK海力士计划在2015年投资19万亿韩元用于研发芯片,此次投资计划高于去年17.7万亿韩元的芯片投资资金。据美国一位对冲基金负责人表示,三星电子和SK海力士希望通过此次19万亿韩元的投资,改善产品结构,适...
东芝(Toshiba)与SK海力士(SKHynix)宣布将共同开发下一代半导体制程技术,同时东芝也撤销对SK海力士提出的1.1兆韩元(约9.1亿美元)损害赔偿诉讼。两企业决定集中火力争取半导体产业未来主导权,取代相互耗损的专利诉讼。据ETNews报
分类:名企新闻 时间:2014/12/30 阅读:575 关键词:半导体
SK海力士无锡工厂的一场大火曾导致芯片的价格暴涨。近日,有消息称,因火灾停产的无锡DRAM工厂的部分生产线开始重新启动。将按照计划截至11月结束修复工作。因此,预计发生...
分类:名企新闻 时间:2013/10/15 阅读:1015
SK海力士无锡工厂的一场大火,使得DRAM芯片价格猛涨。据悉,由于市场预期的SK海力士中国工厂火灾事件会减少未来NANDFlash供货,使得9月下旬合约价较8月下旬上涨3-6%。从需求面来看,通路端的存储卡和U盘销售虽略有增温,但表现却远不如以...
分类:名企新闻 时间:2013/10/10 阅读:207 关键词:火灾
距离SK海力士无锡工厂发生的火灾已过去半月有余,这场大火使得这家市占率达24.6%的全球第二大DRAM芯片制造商的DRAM生产线全面中断,造成存储芯片短期内严重缺货,全球芯片...
分类:业界动态 时间:2013/9/27 阅读:1630 关键词:DRAM
4月19日消息,据国外媒体报道,三星电子移动业务主管J.K.Shin今日表示,三星正在考虑从SK海力士购入移动设备内存芯片。据了解,购入芯片将用于未来产品,包括本月将推出的...
美国晟碟(SanDisk)首席执行官EliHarari称,晟碟计划与海力士合资共同兴建一座生产NAND闪存产品的300mm晶圆厂房,尽管EliHarari没有透露更多的细节,《华尔街日报》估计该兴建计划供需投资2亿美元。德国的一家名为Heise.d
分类:业界要闻 时间:2007/8/13 阅读:768 关键词:NAND
产业观察家已经在思考韩国海力士半导体与美国SanDisk签署交叉授权协议的意义。这两家公司计划设计和生产基于每单元四位x4闪存技术的闪存及NAND存储系统。ObjectiveAnalysis的分析师JimHandy专门对上述合作进行了分析,揭示了它
分类:业界要闻 时间:2007/4/4 阅读:656
SanDisk公司和海力士半导体(Hynix)将合资采用每单元四比特x4闪存技术来开发并生产闪存和NAND存储系统。在此之前,双方日前已签订了一项有关闪存专利交叉授权协议,结束了长期的争端。但双方都没有透露关于此次合资项目的细节。此次合作的...
分类:业界要闻 时间:2007/3/28 阅读:878 关键词:NAND
韩国海力士半导体和美国SanDisk就双方拥有的闪存技术专利的相互授权和产品供应签订了合同。同时双方还就合资成立NAND型半导体生产销售公司达成了协议。合资公司将由双方对半出资,由海力士负责生产。双方今后将致力于NAND型闪存4bit/单元...
分类:业界要闻 时间:2007/3/27 阅读:280