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纳微半导体:通过GaN功率IC兼得高速率和高效率

过去十年来,我们使用的笔记本变得越来越轻薄,而与之配套的电源适配器却保持了一如既往的笨重,电源设计工程师们也在绞尽脑汁改变这一现状。然而迫于的性能局限,这一愿望...

分类:新品快报 时间:2017/9/30 阅读:959 关键词: 电源适配器IC纳微半导体

专为快速切换的GaN驱动而设计的DC/DC电源

在许多应用中取代现有的IGBT和MOSFET,能够带来更优异的性能、更低的损耗以及更快的开关速度。不变的是仍然需要隔离型上桥臂,以及可承受高开关电压、严苛的工作温度和高转...

分类:新品快报 时间:2017/9/18 阅读:457 关键词: RECOMDC/DC电源GaN器件

QORVO®全新碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)放大器可进一步降低电信基础设施成本

实现互联世界的创新RF解决方案提供商Qorvo, Inc.(纳斯达克代码:QRVO)今天宣布,推出一款全新的非对称型 Doherty 放大器---QPD2731,有助于客户在设计无线基站设备的过程中实现超高功效。该新一代碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)解决方案...

分类:新品快报 时间:2017/8/24 阅读:298

RF功率市场由衰转盛 GaN将成主流技术

如今,电子业正迈向4G的终点、5G的起点。 后者发展上仍有不少进步空间,但可以确定,新一代无线电网络势必需要更多组件、更高频率做支撑,可望为芯片商带庞大商机--特别是对RF功率半导体供货商而言。 对此,市研机构Yole于7月发布「2017...

分类:业界动态 时间:2017/7/27 阅读:297 关键词: GaN

QORVO® GAN-ON-SIC晶体管提高战术和公共安全电台的效率和带宽

2017年6月29日,实现互联世界的创新RF解决方案提供商Qorvo, Inc.(纳斯达克代码:QRVO)今天宣布,推出新的50V GaN-on-SiC 晶体管系列---QPD1004、QPD1014和QPD1011,该晶体管系列可以提高性能、增强功能,并加快任务关键型战术和公共安...

分类:新品快报 时间:2017/7/17 阅读:274

GaN器件开路 5G将重塑RF产业

未来五年,通信产业向5G时代的革命性转变正在深刻重塑RF(射频)技术产业现状。这不仅是针对智能手机市场,还包括3W应用RF通信基础设施应用,并且,5G将为RF功率市场的化合...

分类:业界要闻 时间:2017/7/14 阅读:260 关键词:5GGaN器件

QORVO新推GAN-ON-SIC晶体管,提高战术和公共安全电台的效率和带宽

Qorvo, Inc.推出新的50V GaN-on-SiC 晶体管系列---QPD1004、QPD1014和QPD1011,该晶体管系列可以提高性能、增强功能,并加快任务关键型战术和公共安全电台的开发速度。这些晶体管针对宽带应用进行过输入匹配处理,并且尺寸小巧,可以实现...

分类:新品快报 时间:2017/6/30 阅读:354 关键词:晶体管

宜普电源推出比等效MOSFET小型化12倍的GaN晶体管

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出面向多种应用的EPC2046功率晶体管,包括无线充电、多级AC/DC电源供电、机械人应用、太阳能微型逆变器及具低电感的马达驱动器。EPC2046的额...

分类:新品快报 时间:2017/6/7 阅读:488 关键词:GaN晶体管

ADI推出宽带GaN MMIC放大器

Analog Devices, Inc. (ADI)推出一款宽带氮化镓(GaN)功率放大器HMC8205,其设计紧凑,在同类产品中性能。高集成度HMC8205覆盖300 MHz至6 GHz频谱,对于需要支持脉冲或连续...

分类:新品快报 时间:2017/6/7 阅读:526 关键词:ADI放大器

AlGaN纳线激光二极管发射239nm深紫外光

多年来,的短波长极限,已经从可见光谱的红光端移动到了近紫外波段。然而许多应用,例如用于化学和生物化学传感、表面分析和医学用途的拉曼光谱,可以受益于深紫外发射二极...

分类:新品快报 时间:2017/5/12 阅读:1089 关键词:激光二极管紫外光

日研究团队制作了高质量2英寸GaN芯片和MOSFET

日本三菱化学及富士电机、丰田中央研究所、京都大学、产业技术综合研究所的联合团队成功解决了在氮化镓(GaN)芯片上形成GaN元件功率半导体关键技术。GaN功率半导体是碳化...

分类:业界动态 时间:2017/2/24 阅读:265 关键词:MOSFET

TI的600V GaN FET功率级革命性地提升高性能电力转换效能

基于数十年的电源管理创新经验,德州仪器(TI)近日宣布推出一款600V氮化镓(GaN)70mU场效应晶体管(FET)功率级工程样片,从而使TI成为,也是一家能够向公众提供集成有高压驱动器的GaN解决方案的半导体厂商。与基于硅材料FET的解决

分类:新品快报 时间:2017/2/24 阅读:649 关键词:高性能

使用GaN基板将GaN功率元件FOM减至1/3

松下试制出了使用GaN基板的GaN功率晶体管(「GIT」),并在“IEDM2016”上发表(演讲序号:10.3)。与该公司已推出产品的以往Si基板产品相比,将导通电阻(Ron)降至2/3,将输出电荷(Qoss)减至约一半。这样便可将导通电阻与输出电

分类:名企新闻 时间:2016/12/13 阅读:728

Qorvo®技术支持更高性能的GaN分立式LNA和驱动器

实现互联世界的创新RF解决方案提供商Qorvo,Inc.(纳斯达克代码:QRVO)今天发布了一系列六款全新的氮化镓(GaN)芯片晶体管---TGF2933-36和TGF2941-42,新产品的高频性能更出色,噪声更低,这对先进的通信、雷达和国防RF

分类:新品快报 时间:2016/11/16 阅读:280 关键词:Qorvo高性能

两大挑战有碍GaN器件全线铺开 价格有望雪崩式下降

虽然第三代半导体氮化镓备受看好,但要知道氮化镓是一种人造材料,自然形成氮化镓的条件极为苛刻。而基于上述说到氮化镓的优越性能,氮化镓正成为制备宽波谱、高功率、高效...

分类:业界动态 时间:2016/11/8 阅读:503