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IQD推出低压CMOS时钟振荡器IQXO-691,可延长电池寿命

如今,已开发出数十亿个电子设备来满足消费者的需求。随着技术的发展,设备需要在越来越低的电压下运行,这意味着系统可能需要具有多个电源轨。由于这一IQD,WürthElektro...

分类:新品快报 时间:2021/5/13 阅读:2989

东芝推出10款适用于工业设备开关电源的新一代80V N沟道功率MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)推出了10款适用于工业设备开关电源的新一代80VN沟道功率MOSFET“U-MOSⅩ-H系列”产品。共提供三种类型的封装:“TK2R4E08QM、T...

分类:新品快报 时间:2021/5/6 阅读:1315

Vishay推出全球领先的汽车级80 V P沟道MOSFET,以提高系统能效和功率密度

日前,VishayIntertechnology,Inc.近日推出通过AEC-Q101认证、全球先进的p沟道80VTrenchFET?MOSFET---SQJA81EP。新型VishaySiliconixSQJA81EP导通电阻达到80Vp沟道器件优异...

分类:新品快报 时间:2021/4/9 阅读:2711

Vishay推出全球领先的汽车级80 V P沟道MOSFET,以提高系统能效和功率密度

日前,VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)推出通过AEC-Q101认证、全球先进的p沟道80VTrenchFET?MOSFET---SQJA81EP。新型VishaySiliconixSQJA81EP导通电阻达...

分类:新品快报 时间:2021/4/8 阅读:3186

CREE - 赋能未来,勇往直前---科锐联合创始人发表SiC MOSFET十周年文章

– 碳化硅技术 企业科锐Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 联合创始人兼 技术官John Palmour 博士发表了以《赋能未来,勇往直前:SiC MOSFET问世10周年的思索》为题的文章。 John Palmour 博士, 科锐联合创始人兼 技术官 近二十年研发...

分类:名企新闻 时间:2021/3/31 阅读:1206 关键词:CREE

SJ-MOS技术加成,维安全新MOSFET让Rdson更低

受益于国家对新基建项目的重视,新能源电动汽车充电桩和5G基站建设速度迅猛。应新能源汽车续航里程提升和快速充电的要求,充电桩的功率已高达120KW到180KW。同样,5G领域也...

分类:新品快报 时间:2021/3/30 阅读:3255

Atmosic- 2021年物联网领域趋势预测:无线互联技术需求日益增长

2020年,肆虐 的新冠肺炎疫情迫使各行各业加速数字化转型进程。企业开始探索如何利用新型工作方式简化运营流程,并 终在艰难的经济环境中生存下来。许多企业在大量创新应用中采用了互联设备和物联网技术。2021年,疫情将继续加速物联网...

分类:名企新闻 时间:2021/3/26 阅读:686 关键词:物联网

意法半导体发布隔离式栅极驱动器,可安全控制碳化硅MOSFET

STGAP2SiCS是意法半导体STGAP系列隔离式栅极驱动器的最新产品,可安全地控制碳化硅(SiC)MOSFET,工作电源电压高达1200V。 STGAP2SiCS能够产生高达26V的栅极驱动电压,...

分类:新品快报 时间:2021/3/23 阅读:3660

Atmosic Technologies与E Ink元太科技联合发布电子标牌参考设计

物联网(IoT)超低功耗无线技术的创新者Atmosic? Technologies与电子纸研发与制造厂商E Ink元太科技今日联合推出面向电子标牌(eBadge)应用的参考设计。 据市场研究机构Markets and Markets?预测,未来几年智能标牌(smart badge)市...

分类:名企新闻 时间:2021/3/22 阅读:344

东芝推出采用TOLL封装的650V超级结功率MOSFET,有助于提高大电流设备的效率

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,在其TOLL(TO-无引线)封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET---TK065U65Z、TK090U65Z、TK110U65Z、TK155U65...

分类:新品快报 时间:2021/3/15 阅读:872

三星索尼开打价格战:CMOS 图像传感器价格连续三个季度下跌

据日经新闻今日报道,CMOS图像传感器的1~3月的大宗交易价格比2020年10~12月下降了3%左右。近期CMOS图像传感器领域两大巨头三星和索尼的价格战越来越激烈,CMOS图像传感器...

分类:业界动态 时间:2021/3/3 阅读:5175

瑞萨电子推出业界首款CMOS工艺集成化CDR,扩展其光通信产品组合,适用于PAM4应用

半导体解决方案供应商瑞萨电子集团(TSE:6723)今日宣布,将其业界 的光通信产品组合与备受市场欢迎的微控制器(MCU)、时序和功率器件相结合,推动电信和数据中心系统的快速部署。 推上市的瑞萨光互连产品家族有 首款基于200G(4x50...

分类:新品快报 时间:2021/1/18 阅读:549 关键词:瑞萨电子

Vishay推出具备优异导通性能且经过AEC-Q101认证的100 V 汽车级P沟道MOSFET

日前,VishayIntertechnology,Inc.近日宣布,推出新款通过AEC-Q101认证的100Vp沟道TrenchFET?MOSFET---SQJ211ELP,用以提高汽车应用功率密度和能效。VishaySiliconixSQJ211...

分类:新品快报 时间:2021/1/12 阅读:13108

Vishay推出600 V EF系列快速体二极管MOSFET,为功率转换应用提供业界最低FOM指标

日前,VishayIntertechnology,Inc.近日宣布,推出最新第四代600VEF系列快速体二极管MOSFET器件---SiHH070N60EF。VishaySiliconixn沟道SiHH070N60EF导通电阻比其前代器件低2...

分类:新品快报 时间:2020/12/29 阅读:11901

12月新品推荐:ISP处理器、隔离IC、驱动IC、MOSFET、SiC IPM、光电二极管

ISP处理器 12月3日,安谋中国发布了全新“玲珑”多媒体产品线,其中首款产品“玲珑”i3/i5ISP处理器由安谋中国本土团队自主研发,在降噪、清晰度和宽动态等指标上达到业界...

分类:业界动态 时间:2020/12/28 阅读:2982