Vishay推出采用源极倒装技术PowerPAK 1212－F封装的TrenchFET 第五代功率MOSFET
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出多功能新型30V n沟道TrenchFET第五代功率MOSFET---SiSD5300DN，进一步提高工业、计算机、消费电子...
分类：新品快报 时间：2024/2/21 阅读：288 关键词：电子
Infineon - 英飞凌推出首款采用OptiMOS7技术15 V PQFN封装的沟槽功率MOSFET
数据中心和计算应用对电源的需求日益增长，需要提高电源的效率并设计紧凑的电源。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）顺应系统层面的发展趋势，推出业界首款15 V沟槽功率MOSFET ——全新OptiMOS 7系列。OptiMOS 7 15 ...
时间：2024/1/15 阅读：70 关键词：MOSFET
英飞凌推出首款采用OptiMOS 7技术15 V PQFN封装的沟槽功率MOSFET
数据中心和计算应用对电源的需求日益增长，需要提高电源的效率并设计紧凑的电源。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）顺应系统层面的发展趋势，推出业...
分类：新品快报 时间：2023/12/8 阅读：385 关键词：英飞凌
ROHM开发出采用SOT－223－3小型封装的600V耐压Super Junction MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出采用SOT-223-3小型封装（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐压Super Junction MOSFET*1“R6004END4/ R6003KND4 / R60...
分类：新品快报 时间：2023/12/8 阅读：360 关键词：电源
优于 TO247 顶侧冷却 SMD 封装，适用于 650V 汽车 MOSFET
英飞凌已将其 CFD7A 产品组合中的 650V MOSFET 芯片放入表面贴装封装中，“与著名的 TO247 通孔器件相比，其电气性能得到了改善，从而实现了车载充电器和 DC-DC 转换器的高效能源利用”。 英飞凌 QDPAK TSC loRes “QDPAK TSC”...
分类：新品快报 时间：2023/11/23 阅读：245 关键词：英飞凌
Littelfuse宣布推出采用改进型SOT－223－2L封装的 800V N沟道耗尽型MOSFET
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力，很高兴宣布推出CPC3981Z，一种800V、100mA、45欧姆小功率N...
分类：新品快报 时间：2023/10/18 阅读：183 关键词：MOSFET
东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低开关损耗的4引脚封装
东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低开关损耗的4引脚封装 “东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚...
分类：新品快报 时间：2023/9/4 阅读：346 关键词：MOSFET
东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET，有助于汽车设备实现高散热和小型化
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGLTM（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET—...
分类：新品快报 时间：2023/8/18 阅读：418 关键词：MOSFET
英飞凌推出先进的OptiMOS功率MOSFET，进一步扩大采用PQFN 2x2 mm2封装的MOSFET器件的产品阵容
小型分立式功率MOSFET在节省空间、降低成本和简化应用设计方面发挥着至关重要的作用。此外，更高的功率密度还能实现灵活的布线并缩小系统的整体尺寸。英飞凌科技股份公司（...
分类：新品快报 时间：2023/8/4 阅读：383 关键词：英飞凌
Infineon - 采用TO263-7封装的新一代1200 V CoolSiC沟槽式MOSFET推动电动出行的发展
英飞凌推出采用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC MOSFET。这款新一代车规级碳化硅（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能够实现双向充电功能，并显著降低了车载充电（OBC）和DC-DC应用的系统成本。 相比第一代产品，1200 V Co...
时间：2023/7/7 阅读：175 关键词：TO263-7封装
