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Texas Instruments - CSD16301Q2 - MOSFET N-CH 25V 6-SON - CSD16301Q2

供应 Texas Instruments - CSD16301Q2 - MOSFET N-CH 25V 6-SON - CSD16301Q2
供应 Texas Instruments - CSD16301Q2 - MOSFET N-CH 25V 6-SON - CSD16301Q2
  • 型号/规格:

    CSD16301Q2

  • 品牌/商标:

    Texas Instruments

  • 封装形式:

    6-SON

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

普通会员
  • 企业名:深圳市创唯电子有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-21000796

    手机:13006692189

    联系人:吕先生

    QQ: QQ:800152669

    邮箱:sales@szcwdz.com

    地址:广东深圳深圳市宝安区西乡街道流塘路好运来商务大厦B座F8-020

产品分类
商品信息

制造商型号: CSD16301Q2
制造商: Texas Instruments
描述: MOSFET N-CH 25V 6-SON
技术参考: Rohs  PDF PDF
库存状态: 4236  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装现货


数据列表 CSD16301Q2
产品相片 CSD-6-SON Pkg
产品培训模块 NexFET MOSFET Technology
视频文件 NexFET Power Block
PowerStack? Packaging Technology Overview
设计资源 Create your power design now with TI’s WEBENCH? Designer
标准包装   3,000
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 NexFET™
包装   带卷 (TR)  
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss) 25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 5A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(值) 24 毫欧 @ 4A,8V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 1.55V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 2.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 340pF @ 12.5V
功率 - 值 2.3W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-SMD,扁平引线
供应商器件封装 6-SON
产品目录页面 1623 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 296-25260-2

联系方式

企业名:深圳市创唯电子有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-21000796

手机:13006692189

联系人:吕先生

QQ: QQ:800152669

邮箱:sales@szcwdz.com

地址:广东深圳深圳市宝安区西乡街道流塘路好运来商务大厦B座F8-020

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