AON6514 AOS美国万代 30V 

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数据列表AON6514;

标准包装  3,000  

类别分立半导体产品

产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列-

规格FET 类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）23A（Ta），30A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On）4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）5 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）2.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）22.5nC @ 10V

Vgs（值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）951pF @ 15V

FET 功能-

功率耗散（值）4.1W（Ta），25W（Tc）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装8-DFN（5x6）

封装/外壳8-PowerSMD，扁平引线

企业名：深圳市泰利科科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 0755-82283268

手机：13632539197

联系人：刘先生

QQ：

邮箱：taili002@tailitech.cn

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