本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：13.3 A
Rds漏源导通电阻：9毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：12 V
Qg-萘甲酸：41 nC
Pd-功率耗散：2.5 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF7809AVTRPBF SP001555654
单位重量：540毫克
特征

•N通道专用MOSFET
•理想用于CPU核心DC-DC转换器
•低传导损耗
•开关损耗低
•化用于大电流应用的并联MOSFET
•100％经过Rg测试
•无铅
描述
这款新器件采用了先进的HEXFET功率MOSFET技术，可实现导通电阻和栅极电荷的前所未有的平衡。 降低的导通和开关损耗使其非常适合为一代微处理器供电的高效DC-DC转换器。
IRF7809AV已针对同步降压转换器中至关重要的所有参数进行了优化，包括RDS（on），栅极电荷和Cdv / dt引起的导通抗扰性。
IRF7809AV特别提供低RDS（on）和高RDS
Cdv / dt抗扰度适用于同步FET应用。
该封装设计用于气相，红外，对流或波峰焊接技术。 在典型的PCB安装应用中，功耗可能大于2W。
额定值

Parameter		Symbol	IRF7809A V	Units
Drain-Source Voltage		VDS	30	V
Gate-Source Voltage		VGS	±12
Continuous Drain or Source Current (VGS 3 4.5V)	TA = 25°C	ID	13.3	A
	TL = 90°C		14.6
Pulsed Drain CurrentG)		IDM	100
Power Dissipation	TA = 25°C	PD	2.5	W
	TL = 90°C		3.0
Junction & Storage Temperature Range		TJ, TSTG	–55 to 150	°C
Continuous Source Current (Body Diode)		IS	2.5	A
Pulsed Source CurrentG)		ISM	50

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