本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：15 A
Rds上漏源导通电阻：155毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：16 V
Qg-血浆甲醛：22.7 nC
Pd-功率耗散：52 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：3000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRLR3410TRLPBF SP001576994
单位重量：4 g

特征

•逻辑电平门驱动
•超低导通电阻
•表面贴装（IRLR3410）
•直引线（IRLU3410）
•先进的工艺技术
•快速切换
•完全雪崩等级
•无铅
描述
来自国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术，

以使每个硅面积的导通电阻尽可能低。 这种优势与HEXFET

功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设

计相结合，为设计人员提供了一种非常有效的器件，

可广泛用于各种应用中。
D-PAK设计用于使用气相，红外或波峰焊技术进行表面安装。

 直引线版本（IRFU系列）用于通孔安装应用。 

在典型的表面贴装应用中，功耗可能高达1.5瓦。

额定值

	Parameter	Max.	Units
ID @ TC = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	17	A
ID @ TC = 100°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	12
IDM	Pulsed Drain Current CDCT	60
PD @TC = 25°C	Power Dissipation	79	W
	Linear Derating Factor	0.53	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 16	V
EAS	Single Pulse Avalanche Energy0CT	150	mJ
IAR	Avalanche CurrentCDCT	9.0	A
EAR	Repetitive Avalanche EnergyCDCT	7.9	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt CT	5.0	V/ns
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55  to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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