NXP/恩智浦
BFR520
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
A/宽频带放大
SMD(SO)/表面封装
SOT-23
放大
企业名:深圳市秉诚科技有限公司
类型:生产加工
电话: 755-82538080
联系人:陈小宏
地址:广东深圳深圳市竹子林深南大道联泰大厦507室
BFR520
简介
BFR520硅*频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。具有高功率增益、低噪声特性、大动态范围和理想的电流特性。主要应用于*频低噪声功率管主要应用于VHF,UHF,CATV,无线遥控、射频模块等高频宽带低噪声放大器。该芯片原产于PHILIPS,现在国内也有公司生产。北京鼎霖电子科技有限公司在该公司已有的*微波相控阵雷达功率放大器件生产技术的基础上,为民用市场研制开发了系列高频微波三*管,还包括2SC3356,2SC3357,2SC3838,BFQ591,2S*226,BFR540,BFR520等,其性能指标同NEC、philips同类产品相同。
BFR520参数
类别:NPN-硅通用高频低噪声宽带NPN晶体管
集电*-发射*电压VCEO:15V
集电*-基*电压VCBO:20V
发射*-基*电压VEBO:2.5V
集电*直流电流IC:120mA
总耗散功率(TA=25℃)Ptot:500mW
工作结温Tj:150℃
贮存温度Tstg:-65~150℃
封装形式:SOT-23
功率特性:*率
*性:NPN型
结构:扩散型
材料:硅(Si)
封装材料:塑料封装
电性能参数(TA=25℃):
击穿电压:V(BR)CEO=15V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=2.5V
直流放大系数hFE: 40~250 @VCE=8V,IC=40mA
集电*-基*截止电流ICBO:100nA(*大值)
发射*-基*截止电流IEBO:100nA(*大值)
特征频率fT:9.0GHz@ VCE=8V,IC=40mA
集电*允许电流IC:0.12(A)
集电**大允许耗散功率PT:0.5(W)
功率增益GUM:14dB@IC=40mA,VCE=8V,f=1GHz
噪声系数NF:1.3dB@IC=40mA,VCE=8V,f=1GHz
*功率增益∣S21∣:13dB@IC=40mA,VCE=8V,f=1GHz
反馈电容Cre:0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=6V,f=1MHz。
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