AO4446场效应管采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和低栅极电阻。 该器件非常适合用于PWM应用。

    AO4446场效应管规格：

    制造商零件编号：AO4446

    制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述：MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC

    系列：-

    FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

    FET 功能：逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss)：30V

    电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：18A（Ta）

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值）：5.5 毫欧 @ 18A，10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)（值）：2.5V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：124nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7270pF @ 15V

    功率 - 值：3W

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    供应商器件封装：8-SOIC

    场效应管注意事项：

    （1）结型场效应管的栅源电压不能接反，可以在开路状态下保存，而绝缘栅型场效应管在不使用时，由于它的输入电阻非常高，须将各电极短路，以免外电场作用而使管子损坏。

    （2）焊接时，电烙铁外壳必须装有外接地线，以防止由于电烙铁带电而损坏管子。对于少量焊接，也可以将电烙铁烧热后拔下插头或切断电源后焊接。特别在焊接绝缘栅场效应管时，要按源极－漏极－栅极的先后顺序焊接，并且要断电焊接。

    （3）用25W电烙铁焊接时应迅速，若用45～75W电烙铁焊接，应用镊子夹住管脚根部以帮助散热。结型场效应管可用表电阻档定性地检查管子的质量（检查各PN结的正反向电阻及漏源之间的电阻值），而绝缘栅场效管不能用万用表检查，必须用测试仪，而且要在接入测试仪后才能去掉各电极短路线。取下时，则应先短路再取下，关键在于避免栅极悬空。

    

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