ABL
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通用型导热硅脂
适用于电子元器件的热传递，如晶体管、镇流器、热传感器、电脑风扇等,大功率晶体管（塑封管）、二极管与基材（铝、铜板）接触的缝隙的传热介质、整流器和电气的导热绝缘
供应导热胶 导热硅胶ABL7101 超强抗氧化性本公司生产的导热硅胶（又名散热硅胶、电子硅胶、散热胶、导热胶）是一种导热又绝缘的单组分室温硅胶，接触空气中的水份自行固化成弹性固体。● 产品特点※产品具有良好的导热能力；※较宽的温度适用范围（固化胶能在...
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FAIRCHILD/仙童
FQA11N90
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
联系方式： 详细参数选型请查看规格书，若有需要请索要。所有产品为原装进口全新！本公司所有上传产品都是现货，欢迎订购所有价格为参考价格，具体另行咨询！深圳市顺威达电子有限公...
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SILAN/士兰微
1N60 2N60 4N60 5N60 7N60 8N60 10N60 12N60
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
DC/直流
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
SVD2N60M/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。...
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威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET---SiHR080N60E，为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。与前代器件相比，Vishay Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27 ...
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码： IFNNY）推出采用 OptiMOS MOSFET技术的SSO10T TSC 封装。该封装采用顶部直接冷却技术，具有出色的热性能，可避免热量传入或经过汽车电子控制单元的印刷电路板（PCB）。该封装能够实现简单、紧凑的双面PCB设计...
STPOWER MDmesh DM9 AG系列的车规600V/650V超结 MOSFET为车载充电机(OBC)和采用软硬件开关拓扑的DC/DC转换器应用带来卓越的能效和鲁棒性。 这些硅基晶体管具有出色的单位芯片面积导通电阻RDS(on)和非常低的栅极电荷，兼备很低的能量损耗和优异的开关性能，...
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高，和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm SMD封装。这款OptiMOS 7 80 V产品非常适合即...
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS? 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高，和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm SMD封装。这款OptiMOS 7 80 V产品 非常适合...
MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式：线性模式和开关模式。在线性模式下，晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道，但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大，导致晶体管的功耗很高。 在开关模式下， 栅源电压要么足够低以防止电流流动，...
xEV 应用的应用示例。由于 SiC 功率半导体在电动动力系统中的优势已得到证实，SiC 功率半导体作为下一代技术迅速引起人们的关注。与 Si IGBT 相比，SiC MOSFET 的效率更高，可实现更长的行驶距离或更小的高压电池，从而为消费者带来好处。 ROHM自2012年获...
IEC 60747-9 标准以 IGBT 为例解释了相应的测试设置和测量结果。正如预期的那样，没有给出有关实际设计和可能的陷阱的进一步细节。 双脉冲有什么用？ 图 1 显示了可能的双脉冲设置的示意图，图 2 中显示了测量数据。 图 1. 基本双脉冲设置，包括两个...
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的场效应晶体管，常用于电子设备中作为开关或放大器。以下是MOSFET的工作原理和特点： 工作原理：结构：MOSFET通常由栅极（Gate）、漏极（Source）...
之前，我们了解了MOSFET 共源放大器的大信号和小信号行为。这些分析虽然有用，但仅适用于低频操作。为了了解共源 (CS) 放大器如何在较高频率下工作，我们需要更详细地检查其频率响应。 在本文中，我们将推导出考虑 MOSFET 寄生电容的 CS 放大器的完整传递...
