ST/意法
5N60-10N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
L/功率放大
GE-N-FET锗N沟道
原装拆机 MOSFET场效应管TO-220 4N60-10N60汕头市潮南区陈店镇兴龙电子商行主营拆机*翻新大铝电解电容、电源场效应管。我们的宗旨:给客户提供*稳定、*实惠的电容!我们的服务:有任...
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后羿
HY1707
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
UNI/一般用途
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
深圳市龙岗区平湖华永业电子配件经营部是电子元器件、场效应管、电解电容、电源管IC、三*管、二*管、整流桥堆、安规电容、涤纶电容等产品生产加工的公司,拥有完整、科学的质量管理体...
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*
60*Q150
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
CER-DIP/陶瓷直插
GaAS-FET砷化镓
深圳市龙岗区坪地明俊业电子商行是电解电容、三级管、场效应管、三端稳压、肖特机、安规电容、整流桥堆、CBB电容、涤纶电容等产品生产加工的公司,拥有完整、科学的质量管理体系。深...
电话:86 1501 8390054
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IR/国际整流器
IRFP460
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
深圳市龙岗区平湖华永业电子配件经营部是电子元器件、场效应管、电解电容、电源管IC、三*管、二*管、整流桥堆、安规电容、涤纶电容等产品生产加工的公司,拥有完整、科学的质量管理体...
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ST/意法
75NF75 75N75 STP75NF75
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
S/开关
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
创柯电子专营安定器和控制器*MOS管,型号*,*产品都经过仔细测试,质量*, 长期库存:P75NF75 P60NF06 T428 T430 K3435B K4145 HY1707 HY1708 IRFB3607 IRF1010E IRF2807 IRF3205 IRF...
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ON/安森美
IRF840
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
金泰昌电子欢迎您本店销售大中小功率三*管,场效应,可控硅,整流,高压管,稳压管,排桥,电解电容,各大知名品牌IC等,拥有大量的现货供应,*,散新,剪板都有!由于集成电路型号众...
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CER-DIP/陶瓷直插
IRFZ34N
N-FET硅N沟道
A/宽频带放大
IR/国际整流器
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
汕头市盈信扬电子有限公司成立于1991年,是国内较早的电子元器件供应商。本公司成立以来*奉承以客为尊以诚为本,以服务打造行业品牌的经营信念为发展宗旨。公司实力雄厚,重信用守合...
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150W
10A
直插型
1
三*管 BU508A
硅(SI),硅(SI)
SANYO/三洋
功率
BU508A大功率开关三*管 TO-247.【器件种类】硅功率高压开关晶体管、大功率开关三*管【品牌厂商】CHENGYU【工业型号】BU508A【公司型号】BU508A【主要参数】15A,125W,hFE&ge...
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ST/意法
STPS20H100*
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
汕头市翔宇科电子科技有限公司自成立以来,一直凭着质量,价格合理,交货快捷的经营宗旨,积*拓展货源和营销渠道,不断*服务质量,因而得到广大用户的大力支持和高度信任。作为一个的...
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P-DIT/塑料双列直插
IRF3710
GE-N-FET锗N沟道
SW-REG/开关电源
IR/国际整流器
N沟道
结型(JFET)
耗尽型
广东省汕头市兴盛电子有限公司成立于2001年6月,位于广东省汕头市潮南区陈店镇.自成立至今一直以销售*拆机电子元器件为主.品牌有;*,红宝石,松下,尼吉康,日立,丰宾,立隆,ST,IR,...
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CER-DIP/陶瓷直插
K1507
GE-N-FET锗N沟道
L/功率放大
FUJI/富士通
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
本公司经营*拆机电子元器件为主.品牌有;*,红宝石,松下,尼吉康,日立,丰宾,立隆,ST,IR,*童,SEC,东芝,富士通,英飞凌,摩托罗拉等各种品牌。产品有;电解电容,安规电容,涤纶...
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HRF3205
ALGaAS铝镓砷
A/宽频带放大
FAIRCHILD/仙童
MOSFET N 通道,金属氧化物,MOSFET N 通道,金属氧化物,MOSFET N 通道,金属氧化物
结型(JFET)
增强型
仙童 HRF3205 可替IRF3205 原装进口拆机 场效应管 新源兴电子 欢迎新源兴电子:自家现货库存,价格合理,质量保证。欢迎广大客户咨询。:苏春坚::本店拥有更多 《IGBT管、场效应MOS管...
电话:0754-82330075
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TOSHIBA/东芝
BCR16
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
DC/直流
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
本公司从2009年起从事电子元器件的批发销售,主营二、三*管兼营IC集成。总公司位于广东汕头经济特区潮南区陈店镇东风一路40号,地处国道324线,与中国规模的电子元器件拆解基地(贵屿镇...
电话:0755-83667347
IRFP460
IR
金属封装
普通型
直插式
散装
品牌 IR 型号 IRFP460 种类 结型 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型
电话:0754-86678372
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET---SiHR080N60E,为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。与前代器件相比,Vishay Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27 ...
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码: IFNNY)推出采用 OptiMOS MOSFET技术的SSO10T TSC 封装。该封装采用顶部直接冷却技术,具有出色的热性能,可避免热量传入或经过汽车电子控制单元的印刷电路板(PCB)。该封装能够实现简单、紧凑的双面PCB设计...
STPOWER MDmesh DM9 AG系列的车规600V/650V超结 MOSFET为车载充电机(OBC)和采用软硬件开关拓扑的DC/DC转换器应用带来卓越的能效和鲁棒性。 这些硅基晶体管具有出色的单位芯片面积导通电阻RDS(on)和非常低的栅极电荷,兼备很低的能量损耗和优异的开关性能,...
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高,和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm SMD封装。这款OptiMOS 7 80 V产品非常适合即...
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS? 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高,和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm SMD封装。这款OptiMOS 7 80 V产品 非常适合...
MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式:线性模式和开关模式。在线性模式下,晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道,但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大,导致晶体管的功耗很高。 在开关模式下, 栅源电压要么足够低以防止电流流动,...
xEV 应用的应用示例。由于 SiC 功率半导体在电动动力系统中的优势已得到证实,SiC 功率半导体作为下一代技术迅速引起人们的关注。与 Si IGBT 相比,SiC MOSFET 的效率更高,可实现更长的行驶距离或更小的高压电池,从而为消费者带来好处。 ROHM自2012年获...
IEC 60747-9 标准以 IGBT 为例解释了相应的测试设置和测量结果。正如预期的那样,没有给出有关实际设计和可能的陷阱的进一步细节。 双脉冲有什么用? 图 1 显示了可能的双脉冲设置的示意图,图 2 中显示了测量数据。 图 1. 基本双脉冲设置,包括两个...
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的场效应晶体管,常用于电子设备中作为开关或放大器。以下是MOSFET的工作原理和特点: 工作原理:结构:MOSFET通常由栅极(Gate)、漏极(Source)...
之前,我们了解了MOSFET 共源放大器的大信号和小信号行为。这些分析虽然有用,但仅适用于低频操作。为了了解共源 (CS) 放大器如何在较高频率下工作,我们需要更详细地检查其频率响应。 在本文中,我们将推导出考虑 MOSFET 寄生电容的 CS 放大器的完整传递...