PA110BDA
NIKO-SEM尼克森
TO-252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
15A
NIKO-SEM台湾尼克森 MOSFET PA110BDA MOS管 场效应管 漏极电流:15A 漏源电压:100V 内阻:105毫欧 类型:NMOS 场效应管 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效...
电话:025-84653330
ABL
95(%)
通用型导热硅脂
适用于电子元器件的热传递,如晶体管、镇流器、热传感器、电脑风扇等,大功率晶体管(塑封管)、二极管与基材(铝、铜板)接触的缝隙的传热介质、整流器和电气的导热绝缘
供应导热胶 导热硅胶ABL7101 超强抗氧化性本公司生产的导热硅胶(又名散热硅胶、电子硅胶、散热胶、导热胶)是一种导热又绝缘的单组分室温硅胶,接触空气中的水份自行固化成弹性固体。● 产品特点※产品具有良好的导热能力;※较宽的温度适用范围(固化胶能在...
电话:025-87116545
手机:15251766019
FAIRCHILD/*童
FGA25N120ANTD
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
南京诚开电子科技有限公司 翟凌云 传真:部件编号说明封装FGH30T65UPDT650V,30A场截止沟道IGBTTO-247 3*H25T120SMD1200 V、25 A 场截止沟道 IGBTTO-247 3*H40T120SMD1200 V、40 A 场...
电话:86 025 68150265
手机:15251825816
FAIRCHILD/仙童
FQA11N90
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
联系方式: 详细参数选型请查看规格书,若有需要请索要。所有产品为原装进口全新!本公司所有上传产品都是现货,欢迎订购所有价格为参考价格,具体另行咨询!深圳市顺威达电子有限公...
电话:025-66688077
手机:15150542065
STD4NK60ZT4
ST(意法半导体)
D2PAK
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
绝缘栅(MOSFET)
选择耀坤科技的五大理由 1. 优势价格:耀坤科技巨大的产品销售量保证了议价能力,我们供货的产品可以提供优势的价格。 2. 专注:行业,我们专注于电子元件行业数年;致力于以过硬的品...
电话:025-66661049
手机:13675185817
CER-DIP/陶瓷直插
IDW100E60
ALGaAS铝镓砷
UHF/*频
INFINEON/英飞凌
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
南京和默电子科技有限公司从事代理*童 功率器件产品,公司主要致力于新功率半导体器件的推广,包括MOFET, IGBT单管及模块, *快恢复二*管。公司的产品主要应用于开关电源AC/DC、逆变电...
电话:025-66723087
手机:15601580681
IR/国际整流器
IRF3808PBF
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
DIFF/差分放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
南京见田机电有限公司是IR、GEFRAN、SMC、RECOM、COSEL、VICOR、OMRON、Schneider、Delta等国际知名品牌的合作伙伴。主要从事*的工控及电气产品的销售与应用,包括工业自动化、系统集...
电话:025-86200765
AUK
SMK1350F
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
SP/*外形
N-FET硅N沟道
SMK1350F TO-220F AUK韩国原装 代用FQPF13N50韩国AUK出品 韩国原产*。品质*,价格优惠。 该产品部分相关参数如下:VDSS(漏源反向电压Drain to Source Voltage):500 V(Min.)ID(连...
电话:025-87771568
IR/国际整流器
Si5999EDU
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
UNI/一般用途
SMD(SO)/表面封装
IGBT*缘栅比*
南京江泉电子有限公司 nanjing jiangquanelec co., ltd宗保列 先生 (销售部经理)地址:中国 江苏 南京市白下区 光华东街18号邮编:213000传真:258 试用电子传真移动::660公司主页...
电话:025-52389660
CER-DIP/陶瓷直插
FGH60N60SMD
GE-N-FET锗N沟道
A/宽频带放大
FAIRCHILD/*童
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
我司销售各品牌模块、单片、单管及电容,*原装现货欢迎来电咨询我司销售各品牌模块、单片、单管及电容,*原装现货欢迎来电咨询我司销售各品牌模块、单片、单管及电容,*原装现货欢迎...
电话:25-66039101
TOSHIBA/东芝
2SK3878,2SK2611
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
ALGaAS铝镓砷
2SK3878:TOS 10+无铅 原装现货!2SK2611:TOS 10+无铅 原装现货!"
电话:025-84535686
IR/国际整流器
IR2118PBF
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
IR2118PBF
电话:025-86935166
SILAN/士兰微
1N60 2N60 4N60 5N60 7N60 8N60 10N60 12N60
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
DC/直流
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
SVD2N60M/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。...
电话:86 0512 68208871
手机:13402666798
Nexperia 已将更多单、双小信号 MOSFET 放入 DFN1110D-3(SOT8015)和 DFN1412-6(SOT1268)封装中,并配备侧面可润湿侧面,可用于自动光学检查。 该公司表示:“1.1 x 1mm DFN1110D-3 封装已得到越来越广泛的采用,并迅速成为汽车应用小信号 MOSFET 和双...
英飞凌已宣布推出七款采用 TO-220 封装的 30V MOSFET。 英飞凌 TO220 StrongIRFET 2 场效应晶体管 它们是 StrongIRfet 2 系列的一部分,其资质不如其工业级 Optimos 设备。 该公司表示:“新型功率场效应晶体管旨在满足大众市场应用的需求——开关电...
半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出具有低导通电阻*1优势的车载Nch MOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新产品非常适用于汽车门锁和座椅调节装置等所用的各种电机以及LED前照灯等应用。目前,3种封装10种型号的新产品...
Nexperia今日宣布,公司正在持续扩充其NextPower 80 V和100 V MOSFET产品组合,并推出了几款采用行业标准5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。这些新型NextPower 80/100 V MOSFET针对低RDS(on)和低Qrr进行了优化,可在服务器、电源、快速充电器和USB-PD等各种...
日前,搭载了罗姆(总部位于日本京都市)第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于浙江吉利控股集团(以下简称“吉利”)的电动汽车(以下称“EV”)品牌“极氪”的“X”、 “009”、 “001”3种车型的主机逆变器上。自2023财年起,这款功率模块经由罗姆和...
氧化物/SiC界面会在关键器件参数(如阈值电压(V)上产生较大的偏移第)、导通状态电阻 (RDS(开)),并且早期生存期失败。栅极氧化层处理(包括氮化)的改进导致栅极氧化层在标准可靠性和鉴定测试下的固有可靠性得到显着改善。其中一些测试来自硅器件测试...
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素,以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。 如图 1 所示,首先要考虑的一点是,P 柱从基区延伸,在漂移区...
绘制漏极电流与漏极电压的关系图 我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此,我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值,然后执行直流扫描模拟,其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。 LTspice NMOS 示意...
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号,并将于4月发售。 近年来,随着应对全球变暖带来的法规限制强化,环保汽车快速普及,这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合,可作为理想二极管使用,为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外,与两个Nch-MOSFET组合,还可作为双向导通的半导体继电器使用,与传统的机械式继电器相...