您现在的位置：首页 > 元器件 (最新) > 场效应管MOSFET >

MOSFET

（共找到“15”条查询结果）

分类：更多>>

MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

您是不是要找： TL431 TLP521 拆机场效应管场效应MOSFET管东芝MOS管东芝场效应管

维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

公司类型

福建

源头工厂

*场效应MOS管,TO-252 50N06

品牌/商标：
PJ/普罗强生
型号/规格：
50N06
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
V-FET/V型槽MOS
封装外形：
SMD(SO)/表面封装
材料：
N-FET硅N沟道

规格型号ID(A)PW(W)25℃BVdss(V)Vth(V)Vgs(V)Ron(10V)(&Omega;)封装形式应用领域MinMaxT*Max50N&plu*n;200.0180.023TO-252逆变器、电动工具、电动车控制器公司供应...

福建省长汀县品基电子产品制造...
供应商等级： 免费会员
企业类型：生产企业
地区:福建

电话：86 597 6633661

*场效应管MOS管3N50，应用于电子整流器、常压*灯

品牌/商标：
PJ/普罗强生
型号/规格：
3N50
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
V-FET/V型槽MOS
封装外形：
P-DIT/塑料双列直插
材料：
N-FET硅N沟道

产品名称产品类型封装类别应用领域典型参数产品特性说明ID(A)VDSS(V)RDS(ON)&Omega;3N50场效应晶体管TO220/ TO220F电子整流器、常压*灯35002.8 3N50是N沟道增强型场效应晶体...

福建省长汀县品基电子产品制造有限...
供应商等级： 免费会员
企业类型：生产企业
地区:福建

电话：86 597 6633661

740P N-Channel Mos管

品牌/商标：
PowerMos
型号/规格：
PMS740P
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型

PMS740P / PMS740F400V N沟道场效应管（N-channel Mosfet)特点:&bull; 10.5A, 400V, RDS(on) = 0.53&Omega; @VGS = 10 V&bull; 低栅电荷&bull; *度&...

厦门博佳琴电子科技有限公司
供应商等级： 免费会员
企业类型：经销商
地区:福建厦门

电话：86 592 5925389

厦门办事处德国法勒VAHLE碳刷现货

品牌/商标：
德国法勒
型号/规格：
LTE/LTE-U10
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
耗尽型
用途：
MIN/微型
封装外形：
CHIP/小型片状
材料：
GE-P-FET锗P沟道

德国vahle法勒中国《厦门》办事处厦门科比特自动化技术有限公司联系人：乐彬联系： 0 5 9 2 0 5Q Q: 9 6 3 9德国VAHLE移动供电系统VAHLE代理 VAHLE厂家 VAHLE价...

厦门科比特自动化技术有限公司郭庆芳（有限责任公司）
供应商等级： 免费会员
企业类型：其他
地区:福建厦门

手机：

原装HFS12N65S

品牌/商标：
其他
型号/规格：
HFS12N65S
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
耗尽型
用途：
V-FET/V型槽MOS
封装外形：
P-DIT/塑料双列直插
材料：
N-FET硅N沟道

厦门格亚电子科技有限公司是一家综合性、化的电子元器件*分销商；至今已成为福建市场多家知名品牌电子厂商的分销商、和合作伙伴；是福建市场较具规模的电子元器件供应商之一；自公司...

厦门格亚电子科技有限公司
供应商等级： 免费会员
企业类型：
地区:福建厦门

电话：86 0592 6021896

PLC放大板/功率板/光耦隔离/PNP输入

型号/规格：
DW-JTG4-NPN-8
输出频率：
2（kHz）
品牌/商标：
多威
工作电压：
DC24（V）
加工定制：
是
属性：
属性值

全国诚招经销商！您身边的工业电气系统集成商：泉州市多威电气设备有限公司是一家从事工业电子领域产品，集开发、设计、制造和销售于一身的生产企业。本公司研发，设计，生产比例阀放...

泉州市多威电气设备有限公司
供应商等级： 免费会员
企业类型：生产企业
地区:福建泉州

电话：0595-22497819

*场效应管MOS管BF740，应用于电子整流器、常压*灯

品牌/商标：
PJ/普罗强生
型号/规格：
BF740
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
V-FET/V型槽MOS
封装外形：
P-DIT/塑料双列直插
材料：
N-FET硅N沟道

规格型号ID(A)PW(W)25℃BVdss(V)Vth(V)Vgs(V)Ron(10V)(&Omega;)封装形式应用领域MinMaxT*MaxBF&plu*n;300.40.5TO251/220电子整流器、常压*灯公司供应型号： N型-650V...

福建省长汀县品基电子产品制造有限公司
供应商等级： 免费会员
企业类型：生产加工
地区:福建龙岩

电话：0597-6818887

MOS-P P沟道达林顿管场效应管

品牌/商标：
国产
型号/规格：
MOS-P LY5801
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
P沟道
导电方式：
增强型
用途：
S/开关
封装外形：
CHIP/小型片状
材料：
GE-P-FET锗P沟道

工作原理场效应管工作原理用一句话说，就是&ldquo;漏*-源*间流经沟道的ID，用以门*与沟道间的pn结形成的反偏的门*电压控制ID&rdquo;。更正确地说，ID流经通路的宽度...

厦门随源电子科技有限公司
供应商等级： 免费会员
企业类型：经销商
地区:福建厦门

电话：0592-5933267

*场效应管MOS管1N60，用于充电器、高频开关

型号/规格：
1N60
品牌/商标：
TR
封装形式：
TO92/TO251
*类别：
无铅*型
安装方式：
直插式
包装方式：
*条装
功率特征：
*率

产品名称产品类型封装类别应用领域典型参数产品特性说明 ID (A) VDSS(V) RDS (ON)Ω 1N60 场效应晶体管 TO92/ TO251 充电器、高频开关电源、适配器N60是N沟道增强型场效应晶...

厦门曼谱莱电子有限公司
供应商等级： 免费会员
企业类型：生产企业
地区:福建厦门

电话：0592-6219390

手机：13860116760

场效应管

品牌：
ADV美国*半导体
型号：
各种
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
FM/调频
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
材料：
SENSEFET电流敏感

TO-220封装

福州津力电子有限公司
供应商等级： 免费会员
企业类型：经销商
地区:福建福州

电话：0591-83358316

2SC3638等大功率晶体管(图)

封装形式：
直插型
型号/规格：
2SC3638
材料：
硅(Si)
品牌/商标：
JM
应用范围：
功率

锦美电子批量供应以下偏冷门2SC型号三*管：2SC3638 2SC3688 2SC3691 2SC3692 2SC3693 2SC3694 2SC3710 2SC3720 2SC3723 2SC3725 2SC3746 2SC3834 2SC3835 2SC3842 2SC3850 2SC3851 2S...

泉州锦美电子有限公司
供应商等级： 免费会员
企业类型：经销商
地区:福建泉州

电话：595-22116948

MOSFET管RD06HHF1(图)

型号:RD06HHF1MOSFET管RD06HHF1

福建泉州新益达微波电子有限公司
供应商等级： 免费会员
企业类型：经销商
地区:福建泉州

电话：0595-28100092

*场效应管MOS管BF740，应用于电子整流器、常压*灯

品牌/商标：
BGS
型号/规格：
BF740
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
V-FET/V型槽MOS
封装外形：
P-DIT/塑料双列直插
材料：
N-FET硅N沟道

规格型号ID(A)PW(W)25℃BVdss(V)Vth(V)Vgs(V)Ron(10V)(&Omega;)封装形式应用领域MinMaxT*MaxBF&plu*n;300.40.5TO251/220电子整流器、常压*灯公司供应型号： N型-650V...

博嘉圣（福州）微电子科技有限公司
供应商等级： 免费会员
企业类型：生产加工
地区:福建福州

电话：0591-83891801

MOS管12N60

品牌/商标 TRR MW 型号/规格 DSR0.3 产品类型整流管结构面接触型材料硅(Si) 封装形式贴片型封装材料塑料封装功率特性大功率频率特性高频正向直流电流IF 0.3（A）反向电压 1000（V） 0.3A0.5A1A400V DSR0.5GDSR1G600V DSR0.5JDSR1J800VDSR0.3KDSR0.5KDSR1K1000VDSR0.3MDSR0.5MDSR1M SurfaceMountStandardRecti...

厦门晟鑫源科技有限公司
供应商等级： 免费会员
企业类型：生产加工
地区:福建厦门

电话：0592-5712416

厂家* 原装放大三*管MJE13003 直插稳压晶体管

封装形式：
TO-126
芯片：
1.80*1.80
型号/规格：
MJE13003
电流(MA)：
2.0A
材料：
硅(SI),硅(SI),硅(SI)
品牌/商标：
SL
框架：
铁
应用范围：
功率

三*管工作状态有三种，放大、饱和、截止。其中又以放大状态*为复杂，主要用于小信号的放大领域，常用的三*管放大电路形式有：共发射*放大电路，共集电*放大电路，共基*放大电路三种，...

莆田市迅达电子有限公司
供应商等级： 免费会员
企业类型：生产加工
地区:福建莆田

手机：

MOSFET行业资讯

1.1x1mm 和 1.4×1.2mm DFN 封装的小信号 MOSFET[2024-09-11]
Nexperia 已将更多单、双小信号 MOSFET 放入 DFN1110D-3（SOT8015）和 DFN1412-6（SOT1268）封装中，并配备侧面可润湿侧面，可用于自动光学检查。　　该公司表示：“1.1 x 1mm DFN1110D-3 封装已得到越来越广泛的采用，并迅速成为汽车应用小信号 MOSFET 和双...
英飞凌已推出七款采用 TO-220 封装的 30V MOSFET[2024-09-11]
英飞凌已宣布推出七款采用 TO-220 封装的 30V MOSFET。　　英飞凌 TO220 StrongIRFET 2 场效应晶体管　　它们是 StrongIRfet 2 系列的一部分，其资质不如其工业级 Optimos 设备。　　该公司表示：“新型功率场效应晶体管旨在满足大众市场应用的需求——开关电...
ROHM开发出安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET，非常适用于汽车车门、座椅等所用的各种电机以及LED前照灯等应用！[2024-09-09]
半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出具有低导通电阻*1优势的车载Nch MOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新产品非常适用于汽车门锁和座椅调节装置等所用的各种电机以及LED前照灯等应用。目前，3种封装10种型号的新产品...
Nexperia最新扩充的NextPower 80/100V MOSFET产品组合可提供更高的设计灵活性[2024-09-09]
Nexperia今日宣布，公司正在持续扩充其NextPower 80 V和100 V MOSFET产品组合，并推出了几款采用行业标准5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。这些新型NextPower 80/100 V MOSFET针对低RDS(on)和低Qrr进行了优化，可在服务器、电源、快速充电器和USB-PD等各种...
Rohm -罗姆第4代SiC MOSFET大量应用于吉利旗下品牌“极氪”3款车型[2024-09-05]
日前，搭载了罗姆（总部位于日本京都市）第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于浙江吉利控股集团（以下简称“吉利”）的电动汽车（以下称“EV”）品牌“极氪”的“X”、 “009”、 “001”3种车型的主机逆变器上。自2023财年起，这款功率模块经由罗姆和...

什么是MOSFET?

金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
目录

MOSFET技术资料

SiC MOSFET的栅极应力测试[2024-08-06]
氧化物/SiC界面会在关键器件参数（如阈值电压（V）上产生较大的偏移第）、导通状态电阻（RDS（开）），并且早期生存期失败。栅极氧化层处理（包括氮化）的改进导致栅极氧化层在标准可靠性和鉴定测试下的固有可靠性得到显着改善。其中一些测试来自硅器件测试...
在电源中使用快速恢复二极管 MOSFET[2024-06-14]
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素，以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。　　如图 1 所示，首先要考虑的一点是，P 柱从基区延伸，在漂移区...
使用高级 SPICE 模型模拟 MOSFET 电流-电压特性[2024-06-11]
绘制漏极电流与漏极电压的关系图　　我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此，我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值，然后执行直流扫描模拟，其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。　　LTspice NMOS 示意...
ShinDengen - 符合AEC-Q101、高耐压900V MOSFET发售[2024-05-24]
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号，并将于4月发售。　　近年来，随着应对全球变暖带来的法规限制强化，环保汽车快速普及，这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...
ShinDengen - 用于防止极性反接和反向电流的High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC发售[2024-05-24]
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合，可作为理想二极管使用，为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。另外，与两个Nch-MOSFET组合，还可作为双向导通的半导体继电器使用，与传统的机械式继电器相...

热门产品推荐

MOSFET

MOSFET行业资讯

什么是MOSFET?

目录

MOSFET技术资料