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MOSFET

(共找到“4”条查询结果)
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河南
源头工厂
  • 加工定制:

  • 品牌/商标:

    *锋电气

  • 型号/规格:

    60Kw

  • 电压:

    380(V)

  • 功率:

    60K(W)

  • 额定温度:

    1000(℃)

  • 主要用途:

    金属加热 齿轮轴加热淬火

  • 产品:

    CE

晶体管大小型功率高频炉 中频炉 **锋牌放心大小型功率高频炉**锋牌3、矿山工具的焊接,如“一”字钎头、柱齿钎头、燕尾型煤钻头、铆杆钻头、各种采煤机截...

  • 品牌/商标:

    双阳

  • 型号/规格:

    P75NF75@

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    FM/调频

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    GaAS-FET砷化镓

P75NF75@管1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选...

  • 重量:

    12(Kg)

  • 产品用途:

    话筒管(咪头*场效应管)测试分选

  • 型号/规格:

    CS2006-1

  • 品牌/商标:

    晶鑫

  • 加工定制:

  • 外形尺寸:

    400X300180(mm)

话筒管K596(咪头*场效应管)测试仪品牌: 晶鑫型号: CS2006-1 产品说明: 话筒管测试仪是为生产CSK596、J35、CSK600、CSK800(微型、片式)...2SK1109、2SP1109、2SK596等系列单栅结...

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    160N60

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MW/微波

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

耐电压600V,耐电流160A场效应G60N100 场效应IRFP4227 场效应IRF540 场效应20N60 场效应12N60 场效应10N60 场效应7N60 场效应8N60 场效应12N60 场效应10N60 场效应7N60 场效应8N60 场...

  • 张培阳
  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:河南郑州
  • 电话:0371-66930171

MOSFET行业资讯

什么是MOSFET?

  • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称全氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的极性不同,可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
  • MOSFET

MOSFET技术资料

  • SiC MOSFET的栅极应力测试[2024-08-06]

    氧化物/SiC界面会在关键器件参数(如阈值电压(V)上产生较大的偏移第)、导通状态电阻 (RDS(开)),并且早期生存期失败。栅极氧化层处理(包括氮化)的改进导致栅极氧化层在标准可靠性和鉴定测试下的固有可靠性得到显着改善。其中一些测试来自硅器件测试...

  • 在电源中使用快速恢复二极管 MOSFET[2024-06-14]

    “超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素,以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。  如图 1 所示,首先要考虑的一点是,P 柱从基区延伸,在漂移区...

  • 使用高级 SPICE 模型模拟 MOSFET 电流-电压特性[2024-06-11]

    绘制漏极电流与漏极电压的关系图  我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此,我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值,然后执行直流扫描模拟,其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。  LTspice NMOS 示意...

  • ShinDengen - 符合AEC-Q101、高耐压900V MOSFET发售[2024-05-24]

    新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号,并将于4月发售。  近年来,随着应对全球变暖带来的法规限制强化,环保汽车快速普及,这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...

  • ShinDengen - 用于防止极性反接和反向电流的High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC发售[2024-05-24]

    新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合,可作为理想二极管使用,为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外,与两个Nch-MOSFET组合,还可作为双向导通的半导体继电器使用,与传统的机械式继电器相...

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