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MOSFET

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源头工厂
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  • 型号/规格:

    CS100N06D8

  • 品牌/商标:

    华润华晶

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    管装

  • 功率特征:

    中功率

  • 型号/规格:

    IRF9530NPBF

  • 品牌/商标:

    IR

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    大功率

  • 型号/规格:

    BIT3269

  • 品牌/商标:

    NXP(恩智浦)

  • 封装形式:

    贴片式

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 型号/规格:

    STP55NF06

  • 品牌/商标:

    ST(意法半导体)

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    管装

  • 型号/规格:

    AUIRFS4310Z

  • 品牌/商标:

    IR

  • 封装形式:

    TO-263

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    超大功率

  • 包装:

    800

  • 型号/规格:

    1734-TB

  • 品牌/商标:

    Allen-Bradley

  • 封装形式:

    -

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    超大功率

  • 型号/规格:

    装 IRF3710PBF 场效应管 MOSFET N 100V57A T220

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 封装形式:

    贴片式

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 型号/规格:

    AO3401

  • 品牌/商标:

    ALPHA

  • 封装形式:

    SOT-23

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 型号/规格:

    IRF3205PBF

  • 品牌/商标:

    IR

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

  • 功率特征:

    中功率

  • 型号/规格:

    IRF3710PBF

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 型号/规格:

    PL3401C

  • 品牌/商标:

    普蓝科技

  • 封装形式:

    SOT23-3

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    中功率

  • 型号/规格:

    AO3401/3402/3407

  • 品牌/商标:

    ALPHA/AOS

  • 封装形式:

    SOT-23

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    中功率

  • 型号/规格:

    FQB12P20

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD(飞兆)

  • 封装形式:

    TO-263

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    中功率

  • 属性:

    场效应管

  • 型号/规格:

    XP132A11A1SR

  • 品牌/商标:

    TOREX

  • 封装形式:

    SOP8

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 型号/规格:

    FDS4935A

  • 品牌/商标:

    ROHM(罗姆)

  • 封装形式:

    SOP-8

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    小功率

  • 电压:

    30V

  • 型号/规格:

    K3569

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA(东芝)

  • 封装形式:

    TO-220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 型号/规格:

    QM0032S

  • 品牌/商标:

    UBIQ

  • 封装形式:

    SOP-8

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    小功率

  • 型号/规格:

    NDT2955

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD(飞兆)

  • 封装形式:

    SOT223

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    小功率

  • 型号/规格:

    IRF4905PBF

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 型号/规格:

    IRLR2905

  • 品牌/商标:

    IR

  • 封装形式:

    TO-252

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

MOSFET行业资讯

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    2018年6月25日,中国上海讯 —— 英飞凌科技(中国)有限公司(以下简称英飞凌)将于6月26 - 28日参加在上海世博展览馆举办的 PCIM Asia上海国际电力元件、可再生能源管理展览会。英飞凌将在2号馆的F 01展台,展示涵盖整个电能供应链的领先产品和全套系统及应用解决方案。此外,英飞凌的技术...

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    意法半导体的VIPer11离线转换器内置800V耐雪崩MOSFET,可帮助设备制造商设计更耐用的辅助电源和电源适配器,其26Vdc漏极启动电压允许超宽的线路输入电压,并提高诸多消费和工业电源的灵活性。  逻辑级原边MOSFET让VIPer11能够在4.5V至30V的宽电源电压范围内工作,可用于设计高效的5V输出开...

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什么是MOSFET?

  • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称全氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的极性不同,可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
  • MOSFET

MOSFET技术资料

  • 二次侧同步整流 MOSFET 驱动器问市

    Diodes Incorporated 为高质量应用特定标准产品全球制造商和供货商,其产品涵盖广泛领域,包括独立、逻辑、模拟和混合讯号半导体等市场。该公司今日宣布推出 APR346 二次侧同步整流 MOSFET 驱动器,可将 AC 电源转成 DC 电源,提供 5V 至 20V 的电压,提升脱机式变压器的效率。 ...

  • 意法半导体推出全新VIPower™MOSFET功率管

    电路发生故障或异常,随着电流不断升高,并且电流升高有可能损坏电路中的某些重要器件或贵重器件,也可能烧毁电路甚至造成火灾。电路中正确地安置了熔断器,熔断器就会在电流异常升高到一定的高度和一定的时候,自身熔断切断电流,从而起到保护电路安全运行的作用。   意法半导体STEF01可...

  • SiC MOSFET的快速短路检测与保护

    功率器件有多种不同的短路模式,其中最严重的一种是桥臂短路,在这种短路模式下,电流迅速上升,同时器件承受母线电压。我们需要首先对这种短路模式下的MOSFET的行为进行研究。   短路测试平台如图1所示。测试驱动板由英飞凌专为单管SiC MOSFET研发。待测器件为TO-247 4pin封装的IMZ120R0...

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