IRF1010EZSTRL
INFINEON(英飞凌)
TO-263
无铅环保型
直插式
单件包装
大功率
Infineon供应IRF1010EZSTRL半导体分立半导体晶体管MOSFET原厂原装芯片规格: Infineon供应IRF1010EZSTRL半导体分立半导体晶体管MOSFET原厂原装芯片的特征: 先进的工...
电话:83247290
手机:15012727948
SI7113DN-T1-GE3
VISHAY
QFN8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
产品参数 SI7113DN-T1-GE3 产品种类: MOSFET RoHS: 符合RoHS 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: PowerPAK-1212-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿...
电话:0755-82568894
手机:18789759805
KU310N10D-RTF/H
KEC
DPAK(1)
普通型
贴片式
卷带编带包装
中功率
KU310N10D-RTF N沟道MOS场效应管 100V 27A 芯片技术参数: 品牌: KEC 型号:KU310N10D-RTF/H 封装:DPAK(1) 包装数:3000片/包 连续漏极电流(Id)(25°C 时):27A(Tc) 漏源...
电话:
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BSP135
INFINEON(英飞凌)
SOT-223-4
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
产品属性: 产品供应商优势: TI.FSC.NS.LINEAR.XILINX.INFINEON.MAX和INTEL等.目前是NXP74/4000系列正规代理商.经营范围含概IC/二三极管/芯片/钽电容等。我们拥有完善的国际网络采购...
电话:0755-82522312
手机:13312978220
BSB280N15NZ3
INFINEON(英飞凌)
WDSON-2-3
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
----- 致力于中小微客户提供全方位的现货供应链服务:请在线QQ联系或拨打电话联系下单快2小时发货 ,20000+型号,9000万+常备现...
电话:18025408677
手机:18025408677
7N65
XY
TO-220F
无铅环保型
直插式
管装
中功率
N沟道
深圳市星宇佳科技有限公司是一家集研发,生产,销售的电子元器件服务商。公司成立于2011年。是原星宇佳电子的转型升级。公司旗下有自主品牌“ING” “XYJ” .其中ING品牌的MOS管系列...
电话:0755-82522195
手机:13332931905【企业微信】
HY,其他
HY1906P
原厂封装
New
网络通信
增强型
N沟道
绝缘栅(MOSFET)
后羿半导体科技有限公司,成立于2008年,公司以高新技术为,致力于电子元器件国产化的设计研发和生产。经过五年的不懈努力,现已成为从事中高压大功率场效应管(MOSFET)及电源管理IC...
电话:0755-83267331
手机:15986803730
SI2301CDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23(SOT-23-3)
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装
深圳市芯巴巴科技有限公司是一家极具实力的集成电路代理分销商,分销:ST、TI、ON、ADI、NXP、MPS、ATMEL、MICROCHIP等品牌集成电路。广泛涵盖通信、家电、汽车、计算机、工业自动化...
电话:075582711229
手机:13267238803
IRFB4227PBF
IR
TO-220AB
无铅环保型
直插式
管件
大功率
深圳市英特法电子科技有限公司代理IR:IRFB4227PBF。数据列表IRFB4227PbF 产品相片TO-220ABPKG 产品培训模块HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers) 设计资源IRFB4227PBFSab...
电话:0755-83208771
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STW48NM60N
ST(意法半导体)
TO-247-3
无铅环保型
通孔
管件
产品编号:STW48NM60N 描述:通孔 N 通道 600 V 44A(Tc) 330W(Tc) TO-247-3 产品属性STW48NM60N 类型 描述STW48NM60N 选择 类别 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 ...
电话:0755-82737961
手机:13699895474
MEK600-04DA
艾赛斯
标准封装
无铅环保型
螺丝型
盒带编带包装
中功率
苏州新杰邦电子技术有限公司: 代理功率半导体产品及配套器件,IGBT以及配套驱动网上供应商。公司凭借多年的从业经验、不懈的开拓精神及良好的商业信誉,在电力电子行业树立了良好的...
电话:051257718939
手机:19951266678
DMP2104V-7
DIODES/美台
SOT-563
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
DMP2104V-7,DMP2104V-7产品属性介绍:产品型号 DMP2104V-7类别 分立半导体产品晶体管 FET,MOSFET单 FET,MOSFET制造商Diodes Incorporated系列Automotive, AEC-Q101包装 卷带(TR)...
电话:0755-83299553
手机:15712006850
SQJ850EP-T1-GE3
VISHAY/威世
PPAK SO-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
中功率
符合 ROHS3 规范
SQJ850EP-T1-GE3品牌:VISHAY/威世产品属性: 类别:分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 单个 制造商:Vishay Siliconix 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET 包装:卷带(TR)...
电话:82545275
手机:18948713937
IRFH5300TRPBF
INFINEON(英飞凌)
DFN56
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
超大功率
MOSFET
mos管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的...
电话:0755-82797400
手机:13430694776
英飞凌InfineonIRF640NSTRLPBF
INFINEON(英飞凌)
D2PAK
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
<div class="content clearfix" style="margin: 0px; padding: 0px; border: 0px; outline: 0px; font-size: 12px; font...
电话:0755-23990975
手机:17318082080
IPW60R037P7XKSA1
INFINEON(英飞凌)
PG-TO247-3
无铅环保型
直插式
管件包装
大功率
MOSFET属性类别 分立半导体产品晶体管FET,MOSFET单 FET 制造商 Infineon Technologies 系列 CoolMOS? P7 包装 管件 产品状态 在售 FET 类型 N 通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源...
电话:0755-23614096
手机:18038114689
94055B
NXP(恩智浦)
SOT669
普通型
贴片式
盒带编带包装
深圳创鑫兴电子科技郑重承诺:只做原装! 我公司主营电容,兼营汽车电子产品IC芯片:包括汽车电脑板 CPU、存储器存储芯片、怠速驱动、节气门、非门、电源、转速 处理、仪表芯片、单片...
电话:0755-82565468
手机:13699867335
SI2305
CJ/长电
SOT23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
SI2305 -20V P沟道增强型MOSFET特征SI2305先进的沟槽工艺技术超低导通电阻的高密度电池设计包装尺寸SOT23VDS=-20VRDS(ON),Vgs@-4.5V, Ids@-2.8A ?笔记SI2305脉冲宽度受zui高结温限...
电话:0755-83195960
手机:18926474413
KIA18N50H
KIA
TO-220F
无铅环保型
直插式
管装
深圳市信泰瑞达科技有限公司是KIA半导体总代理商: 主经营场效应管(MOS管),广泛应用于移动数码、开关电源、充电器、电源适配器、LCD液晶电视、HID安定器、UPS、电动车、逆变器、电子...
电话:0755-83242658
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1MI100H-025
FUJITSU(富士通)
MODULE
普通型
直插式
散装
中功率
产品信息(PRODUCT INFORMATION): 品牌(BRAND):富士(FUJI) 原产地(Place of Origin):日本 规格(STANDARD):100A/250V/MOS/1U ,详见pdf资料。 货品状况:全新 (100% NEW) 质保(...
电话:010-69234784
手机:13681340538
Nexperia 已将更多单、双小信号 MOSFET 放入 DFN1110D-3(SOT8015)和 DFN1412-6(SOT1268)封装中,并配备侧面可润湿侧面,可用于自动光学检查。 该公司表示:“1.1 x 1mm DFN1110D-3 封装已得到越来越广泛的采用,并迅速成为汽车应用小信号 MOSFET 和双...
英飞凌已宣布推出七款采用 TO-220 封装的 30V MOSFET。 英飞凌 TO220 StrongIRFET 2 场效应晶体管 它们是 StrongIRfet 2 系列的一部分,其资质不如其工业级 Optimos 设备。 该公司表示:“新型功率场效应晶体管旨在满足大众市场应用的需求——开关电...
半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出具有低导通电阻*1优势的车载Nch MOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新产品非常适用于汽车门锁和座椅调节装置等所用的各种电机以及LED前照灯等应用。目前,3种封装10种型号的新产品...
Nexperia今日宣布,公司正在持续扩充其NextPower 80 V和100 V MOSFET产品组合,并推出了几款采用行业标准5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。这些新型NextPower 80/100 V MOSFET针对低RDS(on)和低Qrr进行了优化,可在服务器、电源、快速充电器和USB-PD等各种...
日前,搭载了罗姆(总部位于日本京都市)第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于浙江吉利控股集团(以下简称“吉利”)的电动汽车(以下称“EV”)品牌“极氪”的“X”、 “009”、 “001”3种车型的主机逆变器上。自2023财年起,这款功率模块经由罗姆和...
氧化物/SiC界面会在关键器件参数(如阈值电压(V)上产生较大的偏移第)、导通状态电阻 (RDS(开)),并且早期生存期失败。栅极氧化层处理(包括氮化)的改进导致栅极氧化层在标准可靠性和鉴定测试下的固有可靠性得到显着改善。其中一些测试来自硅器件测试...
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素,以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。 如图 1 所示,首先要考虑的一点是,P 柱从基区延伸,在漂移区...
绘制漏极电流与漏极电压的关系图 我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此,我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值,然后执行直流扫描模拟,其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。 LTspice NMOS 示意...
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号,并将于4月发售。 近年来,随着应对全球变暖带来的法规限制强化,环保汽车快速普及,这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合,可作为理想二极管使用,为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外,与两个Nch-MOSFET组合,还可作为双向导通的半导体继电器使用,与传统的机械式继电器相...