TOSHIBA/东芝
2sk2601
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
1（V）
1（V）
1（μS）
1（pF）
1（dB）
1（mA）
1（mW）
类型：经销商
电话：
联系人：顾丽晴
地址：上海中国 上海市闸北区 汶水路8号8栋208室
∟ 结型场效应管(14)
| 部件型号 | 2SK2601 | |
| *性 | N沟 | |
| 漏源电压VDSS | 500 V | |
| 漏电流ID | 10 A | |
| 漏功耗PD | 125 W | |
| 门电荷总数Qg(nC) (标准) | 30 | |
| 漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=10V | 1 Ω | |
| 封装 | TO-*(N) | |
| 管脚数 | 3 | |
| 表面安装型 | N | |
| 产品分类 | 功率MOSFET (N沟 250V<VDSS≦500V) |
我公司是东芝*代理商,*产品均为原厂原装*,如发现假冒伪劣产品我们接受退货，欢迎来电垂询！
"友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
