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海力士

海力士资讯

三星是否垄断内存价格有待调查 内存供需偏紧上半年涨势难止

如今内存供需仍然处于偏紧状态,下游厂商受影响最大,虽说有关发改委约谈三星,但是是否构成垄断仍待调查,三星方面始终三缄其口,预计内存价格上半年涨势难止。  ...

分类:业界要闻 时间:2018/1/12 阅读:327 关键词:三星 sk海力士 美光 内存 

消息称SK海力士将在中国组建合资建厂 专注芯片代工

北京时间12月20日晚间消息,韩国媒体今日援引知情人士的消息称,韩国第二大芯片厂商SK(SK hynix)计划在中国设立一家合资工厂,以进一步扩展其代工业务。 该知情人士称,...

分类:业界动态 时间:2017/12/21 阅读:77 关键词:SK海力士 芯片代工 

紫光与三星、海力士和美光进行较量 专利诉讼战是首战

目前全球存储市场韩企张巨龙大量的份额,紫光集团欲想抢占更多的市场份额必将要与三星,sk海力士,美光等巨头进行较量。据悉长江存储科技正在迅速开发3D NAND快闪记忆体,...

分类:业界动态 时间:2017/12/19 阅读:59 关键词:紫光 三星 海力士 美光 

买家SK海力士涉嫌垄断,中国商务部正在评估东芝芯片交易

北京时间12月18日晚间消息,彭博社今日援引知情人士的消息称,中国商务部已开始对东芝出售芯片交易展开评估,评估官员目前对SK Hynix在该交易中所扮演的角色表示担忧。  ...

分类:业界动态 时间:2017/12/19 阅读:155 关键词:SK海力士 东芝芯片 

美国际贸易委员会调查SK 海力士存储器模组侵权案

据韩国媒体《etnews》报导,日前遭美国芯片厂 Netlist 控告两项存储器模组侵权的韩国存储器大厂 SK 海力士,美国国际贸易委员会(ITC)3 日宣布,决定立案开始调查。调查最...

分类:业界动态 时间:2017/12/5 阅读:90 关键词:SK 海力士 存储器 

移动式内存价格高涨,SK海力士Q4增长30%表现最亮眼

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示,第三季智能手机市场逐渐复苏,开始进入旺季备料阶段,对移动内存需求增加,带动价格上扬走势。整体而言,第三季移动式内存...

分类:业界动态 时间:2017/11/24 阅读:89 关键词:SK海力士 美光 

SK海力士第三季营收大幅增长30.1%

根据集邦咨询半导体研究中心(eXchange)调查显示,在北美数据中心的需求持续强劲,以及供给端产能与制程受限制下,并不能满足整体服务器内存市场需求,Server 供不应求的情...

分类:名企新闻 时间:2017/11/17 阅读:201 关键词:SK海力士 DRAM 

芯片市场价格整体上涨,海力士Q3营收达477.7亿元

据英国《金融时报》报道,韩国芯片生产商海力士在今年第三季度的运营利润大涨了415%,海力士公司目前是世界第二大的半导体元件制造商,在截至9月末的第三季度中,海力士公...

分类:捷配行情 时间:2017/10/27 阅读:351 关键词:芯片 海力士 半导体 

东芝与SK海力士达成快闪存储器代工关系 恐与西数渐行渐远

根据外电报导,日本科技大厂东芝(Toshiba)将可能与韩国存储器大厂 SK 海力士(SK Hynix)在快闪存储器代工业务方面达成合作关系,此举将意味着过去与西部数据(Western Digital)的合资企业恐已走到尽头。  报导指出,近期西部数据与...

分类:业界动态 时间:2017/10/19 阅读:254 关键词:东芝 SK海力士 存储器 

东芝已与SK海力士在闪存代工方面达成合作关系

东芝公司将可能与SK海力士在闪存代工业务方面达成合作关系,此即意味着其与西部数据公司组成的合资企业恐已走到尽头。近期,西部数据与东芝之间有关闪存业务代工厂谈判的更多细节已浮出水面。今年,东芝方面正在四日市建设Fab 6以增加其3...

分类:业界动态 时间:2017/10/19 阅读:131 关键词:东芝 SK海力士 闪存代工 

海力士技术

坚果手机拆解曝光:骁龙615处理器+海力士内存

时隔一年多,在大批锤粉和锤黑的密切关注下,锤子终于发布了坚果手机,虽然大家期待的T2没来,但坚果的高性价比和高逼格仍然吸引了很多评测媒体,大家都陆续奉上了自己的感...

基础电子 时间:2015/9/1 阅读:1392

拆解SDRAM存储器 三星与SK海力士与众不同

根据拆解分析机构Techinsights最近对目前市面上先进DRAM存储器单元(cell)技术所做的详细比较分析发现,虽然已有部分预测指出DRAM存储器单元将在30纳米制程遭遇微缩极限,...

基础电子 时间:2013/6/20 阅读:3006

惠普海力士合作打造忆阻器存储

惠普公司今天宣布,已经和韩国海力士半导体达成合作研发协议,双方将共同致力于在未来的产品中使用Memristor忆阻器技术,即使用电阻实现存储的ReRAM(ResistiveRandomAccessMemory电阻式存储器)。忆阻器技术的研究实际上已

其它 时间:2011/7/2 阅读:2198

安捷伦与海力士半联合推出长线ZIF探针

安捷伦(Agilent)科技公司日前宣布:安捷伦与海力士半导体公司(HynixSemiconductorInc.)携手推出一款高带宽、高性能的长线ZIF(零插入力)探针,该探针经过优化,适用于DDR(双数据速率)和GDDR(图形双数据速率)SDRA

新品速递 时间:2009/3/13 阅读:1719

恒忆与海力士合作推广创新的NAND闪存技术

恒忆(Numonyx)宣布与海力士半导体公司达成为期五年的协议,在飞速增长的NAND闪存领域扩展联合开发计划。针对NAND技术在未来五年面临的挑战,两家公司将扩大NAND产品线并共同研发未来产品,进行技术创新。根据新协议,恒忆和海力士将扩...

新品速递 时间:2008/8/19 阅读:1115

海力士推新款手持装置用DRAM

根据富比世(Forbes)报导,韩厂海力士(Hynix)推出运作时脉达200Mhz的利基型手持装置用DRAM,号称速度较现有一般手机用的DRAM快上1.5倍,海力士并表示,将推出针对手机平台,结合DRAM与NAND型Flash的多晶片封装(MCP)

新品速递 时间:2007/12/4 阅读:1078

海力士开发出高速小型移动终端用1GbDRAM

韩国海力士半导体(HynixSemiconductor)开发成功了用于小型高速移动终端的1Gbit移动DRAM。预定2008年第1季度开始量产,主要应用于手机等产品。近来,对能够满足便携电子产品小型化、大容量化、高速化的移动DRAM产品的需求不断扩

新品速递 时间:2007/11/19 阅读:994

海力士半导体DRAM产品获得 ISi存储技术授权

海力士已经同意在其动态随机存储器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技术。采用Z-RAM的DRAM将使用一种单晶体管位单元,来替代多个晶体管和电容器的组合,这代表了自上世纪70年代初发明DRAM来,基本DRAM位单元实现了首次变革。海力士已经获

新品速递 时间:2007/11/15 阅读:1117

海力士一季度表现骄人 DRAM市场出货量排名首次跃居第一

海力士半导体第一季度在DRAM市场取得惊人业绩,三星面临失去DRAM市场桂冠的危险。2007年一季度韩国海力士半导体DRAM销售额为22亿美元,比2006年第四季度增长4.1%。相比之下,第一季度总体DRAM市场销售额下降近10%,其它主要厂商的销

新品速递 时间:2007/8/7 阅读:1194

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