韩国 SK 海力士公司公司表示,预计人工智能需求的存储芯片将全面复苏,并在用于生成人工智能芯片组的具有高带宽内存(HBM)的先进 DRAM 芯片销售中实现近两年来的最高利润...
据报道,日本 NAND 闪存半导体制造商 Kioxia 正在重新启动与西部数据 (WD) 的合并计划,但 SK 海力士仍然坚决反对。 据《读卖新闻》等业内人士 4 月 18 日的消息称,Kio...
根据外媒报道,随着全球第三大NAND闪存公司西部数据上半年正式上调固态硬盘(SSD)和硬盘驱动器(HDD)的价格,三星电子和SK海力士的NAND业务预计将转向2024 年第一季度扭...
SK海力士计划投资5.2万亿韩元,在美国印第安纳州建立用于人工智能(AI)的下一代高带宽存储器(HBM)半导体生产设施。该合资企业是该公司在海外的第一家HBM生产工厂,计划...
分类:名企新闻 时间:2024/4/7 阅读:376 关键词:SK海力士
SK海力士4月1日宣布,与国内特种气体公司TEMC合作开发出半导体行业首个氖气回收技术。这一成就是在与国内一家材料、零部件和设备公司开始开发回收技术一年多后取得的。 ...
分类:名企新闻 时间:2024/4/2 阅读:306 关键词:SK 海力士
根据了解,SK 海力士总裁兼首席执行官 Kwak Noh-jeong 3 月 27 日宣布,高带宽内存 (HBM) 的订单量将在明年之前保持“紧张”状态,并补充说“今年 HBM 在 DRAM 总量中的比...
分类:名企新闻 时间:2024/3/29 阅读:331 关键词:SK海力士
继HBM3取得成功后,SK海力士率先量产第五代HBM、HBM3E DRAM,并将其供应给美国半导体公司Nvidia,巩固了其在高带宽内存(HBM)市场的主导地位。 3月19日,SK海力士宣布...
分类:名企新闻 时间:2024/3/20 阅读:387 关键词:SK海力士
SK海力士公司今天宣布,其最新的超高性能AI内存产品HBM3E1已开始量产,并于3月下旬开始向客户供货。七个月前,该公司公布了 HBM3E 开发的成功。 SK 海力士是 HBM3E 的第...
分类:业界动态 时间:2024/3/19 阅读:160 关键词:SK 海力士
集邦咨询:HBM3最初由SK海力士独家供应,AMD验证后三星股价快速上涨
TrendForce强调了HBM市场的当前格局,截至2024年初,该市场主要集中在HBM3 。NVIDIA 即将推出的 B100 或 H200 型号将采用先进的 HBM3e,标志着内存技术的下一步发展。然而...
分类:行业趋势 时间:2024/3/14 阅读:911 关键词:HBM3
继去年内存半导体低迷之后,三星电子和 SK 海力士通过扩展先进处理技术,积极加大对 DRAM 的关注。这一举措是预料之中的,因为在强劲的人工智能 (AI) 需求的推动下,高带宽...
拆解分析机构TechInsights的分析师探索了第四代3D闪存芯片──海力士(SK Hynix)的256-Gbit 72层TLC NAND,指该芯片具备市场上闸极堆栈的产品。 在SK Hynix的72层(72L) TLC NAND闪存中,所谓的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)...
新品速递 时间:2018/6/12 阅读:708
时隔一年多,在大批锤粉和锤黑的密切关注下,锤子终于发布了坚果手机,虽然大家期待的T2没来,但坚果的高性价比和高逼格仍然吸引了很多评测媒体,大家都陆续奉上了自己的感...
基础电子 时间:2015/9/1 阅读:2231
根据拆解分析机构Techinsights最近对目前市面上先进DRAM存储器单元(cell)技术所做的详细比较分析发现,虽然已有部分预测指出DRAM存储器单元将在30纳米制程遭遇微缩极限,...
基础电子 时间:2013/6/20 阅读:4657
惠普公司今天宣布,已经和韩国海力士半导体达成合作研发协议,双方将共同致力于在未来的产品中使用Memristor忆阻器技术,即使用电阻实现存储的ReRAM(Resistive Random Access Memory电阻式存储器)。 忆阻器技术的研究实际上已有数十...
其它 时间:2011/7/2 阅读:2811
安捷伦(Agilent)科技公司日前宣布:安捷伦与海力士半导体公司(HynixSemiconductorInc.)携手推出一款高带宽、高性能的长线ZIF(零插入力)探针,该探针经过优化,适用于DDR(双数据速率)和GDDR(图形双数据速率)SDRA
新品速递 时间:2009/3/13 阅读:2144
恒忆(Numonyx)宣布与海力士半导体公司达成为期五年的协议,在飞速增长的NAND闪存领域扩展联合开发计划。针对NAND技术在未来五年面临的挑战,两家公司将扩大NAND产品线并共同研发未来产品,进行技术创新。根据新协议,恒忆和海力士将扩...
新品速递 时间:2008/8/19 阅读:1497
根据富比世(Forbes)报导,韩厂海力士(Hynix)推出运作时脉达200Mhz的利基型手持装置用DRAM,号称速度较现有一般手机用的DRAM快上1.5倍,海力士并表示,将推出针对手机平台,结合DRAM与NAND型Flash的多晶片封装(MCP)
新品速递 时间:2007/12/4 阅读:1459
韩国海力士半导体(HynixSemiconductor)开发成功了用于小型高速移动终端的1Gbit移动DRAM。预定2008年第1季度开始量产,主要应用于手机等产品。近来,对能够满足便携电子产品小型化、大容量化、高速化的移动DRAM产品的需求不断扩
新品速递 时间:2007/11/19 阅读:1400
海力士已经同意在其动态随机存储器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技术。采用Z-RAM的DRAM将使用一种单晶体管位单元,来替代多个晶体管和电容器的组合,这代表了自上世纪70年代初发明DRAM来,基本DRAM位单元实现了首次变革。海力士已经获
新品速递 时间:2007/11/15 阅读:1473
海力士半导体第一季度在DRAM市场取得惊人业绩,三星面临失去DRAM市场桂冠的危险。2007年一季度韩国海力士半导体DRAM销售额为22亿美元,比2006年第四季度增长4.1%。相比之下,第一季度总体DRAM市场销售额下降近10%,其它主要厂商的销
新品速递 时间:2007/8/7 阅读:1549