奇梦达5纳米512Mbit低功耗DRAM问世,瞄准便携设备应用

类别:新闻资讯  出处:网络整理  发布于:2007-07-19 08:57:26 | 1233 次阅读

      存储产品供应商奇梦达公司日前宣布开始提供全新的75纳米工艺512Mbit低功耗DRAM样品。Mobile RAM产品是一种超低功耗的DRAM,与同等密度的标准DRAM相比,功耗低80%,主要用于智能手机和多功能手机、便携式GPS设备、数码相机和MP3播放器等移动产品。 
      奇梦达的低功耗DRAM产品系列用超低待机和操作功耗来延长电池使用时间,另一产品的优势是它的超小封装尺寸,能够满足对空间受限的应用需求。这些特性使其成为快速增长的超低功耗DRAM市场的理想选择。据市场分析家iSuppli预测,对低功耗DRAM的需求量将从2007年2.38亿512Mbit约当量增加至2010年的12亿512Mbit约当量(年均复合增长率为71%)。
      奇梦达采用75纳米低功耗沟槽工艺平台,该平台是公司所有75纳米低功耗DRAM产品系列的基础。新型Mobile-RAM采用非常有弹性的设计概念,将DDR与SDR接合以及x16和x32两种界面放入同一个芯片设计,在后端封装测试前采用bond option技术决定产品终的接合(DDR或SDR)和界面(x16或x32 )。新型Mobile DRAM 也具备单/双面焊垫(pad out)接合版本,能配合任何组件级封装、多重芯片封装(MCP)、或系统级封装(SIP)。奇梦达的512Mbit低功耗RAM针对MCP与SIP解决方案提供的品质,同时实现功耗,从而延长手持设备的电池使用时间。
      奇梦达提供的样品是组件和KGD(known good die)晶圆。
关键词:DRAM

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