类别:其他 出处:网络整理 发布于:2008-08-12 11:21:57 | 1244 次阅读
韩美两国联合科研组成功开发了将半导体电路堆叠,使半导体集成度得到提高的同时,减少批量生产成本的三维集成电路(3D-IC)商用化技术。
纳米综合Fab中心、美国风险企业BeSang和斯坦福纳米Fab(SNF)11日下午在首尔洲际大酒店召开记者会表示,通过三维单一芯片集成电路,开发了可代替互补性氧化金属半导体(CMOS)技术的3D-IC商用化技术。
在平面硅板形成电路的二维半导体,因小型化所致的成本上升及技术问题等,无法进一步实现小型化,因此半导体业界一直在研究三维半导体技术。
但三维半导体制造技术,需要高温制造环境,且半导体层之间易出现缺陷,因此至今未能实现商用化。
但韩美研究组以180纳米技术和8英寸硅半导体晶片,在400摄氏度以下低温环境形成了三维集成电路。
研究组当天公开了利用新技术在180纳米级8英寸硅晶片堆叠1.28亿个立式半导体器件(两层)的三位集成电路。
纳米综合Fab中心表示:“3D-IC技术形成立式半导体电路,这不仅提高单位面积上的集成度,还进行了堆叠,使集成度达到普通半导体的数十倍。”
该中心还表示:“此项技术将彻底改变截至目前的二维半导体集成电路生产体系,它不仅能够显著降低半导体生产成本,还将影响未来的几代技术。”
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