嵌入式闪存 IP 核（eFlash IP）开发商 Floadia（总部：东京小平；总裁：Kosuke Okuyama；以下简称“Floadia”）已完成其 eFlash IP G1 的资格，全球的半导体代工厂台积电的130BCD Plus工艺。经过 10,000 次编程和擦除操作后，G1 通过了 125°C 数据保存 10 年的资格标准。在 200°C 的更高温度下进行同样的测试，G1 达到了世界上的数据保存质量水平 10 年。
BCD 工艺是一种工艺技术，可以在单个芯片上集成三种类型的器件：双极型、CMOS 和 DMOS。BCD 工艺技术越来越受到关注，因为它对于实现“智能电源管理 IC”必不可少，“智能电源管理 IC”将处理高电压和大电流的电源管理 IC 与 MCU（微控制器）集成在一个芯片上。与此同时，对BCD工艺上的非易失性存储器（即使电源关闭也能保持数据的存储器）的需求正在增加，以存储MCU中的程序和各种参数。
“热电子注入浮栅”MTP被认为是BCD工艺有前途的非易失性存储器，因为它几乎不需要额外的工艺步骤。然而，这种类型的 MTP 存在因应力诱发漏电流 (SILC) 而导致数据保留不佳的风险。未能正确读取数据可能导致重大质量故障。通常采用电路设计来降低风险，但同时由于芯片尺寸较大而增加了成本。
Floadia 的 G1 是 SONOS 型存储单元，它使用 Fowler-Nordheim (FN) 隧道进行编程和擦除操作。这提供了以下优势：1) 重写期间的低功耗，2) 小 IP 大小，3) 由于没有 SILC 现象，数据保留率高，4) 只需要三个额外的掩模，以及 5) 测试和烘烤时间短。此外，G1 额外工艺的热预算不会影响现有的 BCD 设备。为此，代工厂提供的PDK（Process Design Kit）和PDK中包含的SPICE模型（描述晶体管和无源器件运行的模型）可以保持一致。因此，芯片公司可以在添加 G1 的同时重用所有现有的 IP 资产，从而缩短产品开发时间。
随着台积电130BCD Plus工艺G1完成，Floadia将继续支持G1产品；G1 适用于无线充电器 IC、USB 电源 IC、电机驱动 IC 和可编程混合信号 IC。一些汽车电子控制单元应用已经采用G1，将以前由多个分立元件组成的一个集成芯片减少60%的PCB尺寸和80%的重量。
Floadia 总裁 Kosuke Okuyama 表示：“公司于 2011 年成立后不久，我们的 G1 就首次用于多款智能手机 IC。从那时起，G1 的采用已扩展到从消费芯片到汽车芯片的多个代工厂和 IDM。” G1在TSMC 130BCD Plus工艺上的资格将促进智能电源管理IC的集成，这是人们期待已久的”。
