SK 海力士通过在世界上首次垂直堆叠 12 个独立的 DRAM 芯片，开发出具有世界容量 24 GB 的新 HBM3 产品。HBM 代表高带宽内存。预计在快速增长的生成人工智能 (AI) 市场中，对该产品的需求将会增加，因为它具有足够的处理能力，可以在一秒钟内传输 163 部高清电影。
4 月 20 日，据业内人士透露，继 HBM3 量产后，SK 海力士于 2022 年 6 月在全球首次成功开发出容量比之前产品高出 50% 的 24 GB 封装产品。容量通过垂直堆叠 8 个单 DRAM 芯片，之前的 HBM3 的容量为 16 GB。与现有 DRAM 相比，HBM 提高数据处理速度的创新是垂直连接多个 DRAM 芯片。
SK hynix 的工程师将先进的 MR-MUF 和 TSV 技术应用于该产品。MR-MUF是在堆叠半导体芯片后，在空间之间注入并硬化液体型保护材料以保护芯片之间电路的工艺。与每次堆叠芯片时都铺设薄膜类材料的方法相比，该工艺效率更高，散热效果也更好。先进的MR-MUF技术提高了工艺效率和产品性能稳定性。
TSV 是一种先进的封装技术，它在 DRAM 芯片上钻出数千个细孔，并将上下芯片的孔与垂直穿透它们的电极连接起来。SK 海力士的 HBM3 采用这项技术可以在一秒钟内传输 163 部全高清 (FHD) 电影，实现每秒高达 819 GB 的速度。
SK 海力士采用 TSV 技术，通过垂直堆叠 12 个比以前薄 40% 的单 DRAM 芯片，开发了与 16GB 产品相同高度的产品。HBM 是 SK 海力士于 2013 年在全球首次开发的，被评估为需要高性能计算的生成人工智能 (AI) 必不可少的存储器半导体产品。标准 HBM3 是快速处理大量数据的内存，大型科技公司的需求正在逐渐上升。
SK 海力士的目标是在今年下半年供应产品，以满足随着 AI 聊天机器人（对话机器人）行业近的增长而对高端内存不断增长的需求。目前，HBM3 24GB样品已提供给全球客户进行性能验证。
