根据外媒报道， 半导体行业竞相开发下一代内存解决方案，包括高带宽内存 (HBM)、内存处理 (PIM) 和计算快速链路 (CXL)，三星电子和 SK 海力士这两个领跑者。特别是，由于生成型人工智能（AI）的发展，AI对HBM3的需求增长速度快于预期，停滞的存储半导体市场得到了复苏。
8 月 13 日，据业内人士透露，三星电子在国际存储器半导体盛会上，推出了包括 HBM、HBM-PIM、CXL DRAM 和 CXL 处理近存储器（PNM）在内的一系列高性能和大容量存储器解决方案技术。今年的 Memcon 和闪存峰会。
在第二代和第三代 HBM 上处于领先地位的三星电子，在没有预见到 AI 市场快速增长的情况下，将 HBM??3（第四代）全球量产的芯片制造商的机会让给了 SK 海力士。作为回应，三星电子积极参与下一代 DRAM 的开发和量产竞赛，以重新夺回在 AI 半导体领域的领先地位。
今年 5 月，三星电子开发出了业界首款支持 CXL 2.0 的 128 GB DRAM，并计划于年内推出。一年前，该公司于去年 5 月开发出了全球首款基于 CXL 1.1 的 DRAM。与限制每个中央处理单元 (CPU) 可用 DRAM 数量的传统方法不同，CXL 将多个接口整合为一个，从而实现每个设备之间的直接通信。这使得将 DRAM 可处理的服务器内存量扩展到数十太字节 (TB) 成为可能。
2022年10月，SK海力士成功开发出业界将计算功能集成到CXL内存中的计算内存解决方案（CMS）。
PIM 竞赛也正在升温。目前，内存扮演着存储的角色，中央处理单元（CPU）和图形处理单元（GPU）等系统半导体进行计算，但PIM技术可以在内存中进行数据计算。采用HBM-PIM技术，AI模型生成性能比采用传统HBM的GPU加速器提升3.4倍。2022 年 10 月，AMD 的 GPU MI-100 中采用了三星的 HBM-PIM。
基于 CXL 的 PNM 通过将具有计算能力的系统半导体放置在内存旁边，减少了数据瓶颈。与传统GPU加速器相比，它的DRAM容量增加了四倍，AI模型的加载速度提高了一倍。虽然仍处于发展的早期阶段，但随着对大容量 AI 模型处理的需求不断扩大，存储器行业预计基于 CXL 的 PNM 技术将得到广泛采用。
“生成式人工智能的快速发展极大地改变了记忆开发的范式。”一位业内人士表示。“美光在下一代内存技术方面落后了一步，因此三星与 SK 海力士的竞争将持续一段时间。”
