东芯股份:DRAM 可实现 25nm 工艺节点的量产

类别:名企新闻  出处:网络整理  发布于:2023-10-24 10:26:43 | 396 次阅读

  近日,东芯股份在接受投资者调研时表示,受到存储周期的影响,公司目前的存货仍处在相对较高的水平。从存货结构上来看,公司大部分产品是通用型产品,存货中原材料占比更高,半成品和产成品占比相对较低。根据披露,截止到 6月30 日,该公司存货的账面价值为 8.08 亿元。
  此前,东芯股份称,公司目前已经有产品通过 AEC-Q100 的工艺制程方面,公司的 NAND Flash 已具备2xnm 制程的量产能力,并向 1xnm 制程进一步迈进。NOR Flash 可实现 48nm 制程量产;DRAM 可实现 25nm 工艺节点的量产。
  此前于10月12日,另一本土存储厂商江波龙表示,在原厂减产效应的影响下,晶圆价格上涨的趋势已经形成,产业链上下游对于本轮价格调整基本达成一 致。存储主要市场中, NAND Flash 的整体涨幅更为一 致,DRAM 不同产品的涨幅存在较大差异。尽管目前下游市场对存储器的采购需求有一定的恢复,但后续的涨价幅度与涨价频率,取决于下游终端需求能否形成持续支撑, 需要持续关注宏观经济复苏情况。
  而对于接下来是否还会计提存货跌价减值的询问,江波度龙指出,公司一直本着谨慎的态,依据相关会计准则开展存货跌价计提工作。目前来看,公司的存货跌价减值计提较为充分。
  另据披露,江波龙的 LS500、LS600 系列主控芯片已经在晶圆厂完成流片验证,预计将于今年年内或明年初投入量产,并逐步实现规模的提升。该公司称,其主控芯片业务主要围绕主营业务开展,将率先应用在 eMMC 和 SD 卡领域。

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