根据市场预测，HBM3和HBM3E等先进技术将在未来几年内成为主流，特别是在AI训练和推理需求的带动下，预计2025年HBM3E的需求将占整体HBM市场的80%以上。
浅谈HBM以及未来需求
高宽带存储（HBM）旨在为高效能计算和图形处理单元（GPU）提供高资料传输速率和低功耗的存储解决方案。
HBM的独特之处在于其多层堆叠的结构，并通过TSV技术来实现芯片之间的连接。这种设计允许在非常小的物理空间内实现高密度和高带宽的存储配置，并大大提高了存储的运算效率。
而也正是因为需要多层堆叠的关系，所以需要使用到先进封装让整体成本比传统DRAM高出不少，并需要更的散热解决方案，也因为技术性高，故而良率较低，且生产周期较长。
与利基型存储(DDR3/DDR4)的差别在于，利基型存储是采用水平排列，并通过传统的汇流排连接到处理器。这种设计较为成熟，但在空间利用率和传输速度上均不及HBM。
且两者的应用场景也有很大的区别: HBM：主要用于需要极高资料处理能力的领域，如AI训练、图形处理、超级电脑、 AI伺服器、以及自驾车等。
利基型存储（DDR4/DDR5）：广泛应用于PC、笔记本电脑、传统伺服器和消费电子设备中，适合一般的计算需求。
根据Market Research Future的研究，HBM市场在未来几年的复合年增长率（CAGR）预计将达到26.10%。
这一增长率主要受到人工智能（AI）、高性能计算（HPC）以及自驾车等新兴技术需求的驱动。
随着这些高端应用对于更高效能存储的需求不断上升，HBM作为提供高带宽、低延迟和低功耗的解决方案，正快速扩展其市场份额。
预计到2032年，HBM市场规模将增长至225.73亿美元，可见这一市场的发展潜力是未来投资人不能忽视的一环。
当市场目光都聚焦在排挤效应? 许多人的投资配置都是以台股为主，故多数投资人都聚焦在有机会发生产能排挤效应的受惠台厂上。
根据TrendForce报告资料，由于HBM的芯片尺寸一般比DDR5大35-45%且HBM的良率（包括TSV封装）比DDR5大约低20-30%，另外生产周期（包括TSV）又比DDR5长了1.5到2个月，故从投片到产出与封装完成需要两个季度以上。
因此，欲取得充足供货的买家需要更早锁定订单量，这让目前处于发展初升段的AI对于HBM的需求始终是供不应求，而目前HBM三大巨头(海力士、三星、美光)都在积极布建HBM相关产能，且计划将旧产线进行升级，所以对于过去价格已经杀到血流成河的利基型市场反而有了一些生存空间。
根据TrendForce的预测，尽管DRAM价格有望上涨，但整体的消费型DRAM市场仍显现出供过于求的情况。
虽然三大供应商在HBM产能受到限制的情况下，有推动价格上涨的意图，但中国台湾厂商尚未恢复到获利状态，且库存仍居高不下。因此价格仍面临上行压力，预计会呈现小幅增长的趋势。
然而目前DDR4价格从去年9月谷底时，虽然已经反弹有近30%的幅度，但距离过去的价格仍有一段不小的差距。
透过优分析产业模组我们可以快速的观察到中国台湾几家利基型DRAM厂商的营收以及存货状况:
虽然中国台湾的利基型DRAM厂商在营收方面开始出现缓步回稳的迹象，但目前高居不下的存货仍然是一大问题。
这些存货压力显示出市场对这类产品的需求尚未完全恢复(消费性电子尚未回温)，故从今年的股价表现中就能发现DRAM相关族群的走势一直以来都弱于大盘的主要原因。
