在半导体行业不断发展的后摩尔时代，芯片设计正面临着诸多前所未有的挑战。过去，寄生效应在芯片设计中往往是事后才考虑的因素，但如今，随着逻辑密度提升、互连线变薄、绝缘层缩小以及数据处理量的激增，这些效应在先进制程中变得愈发棘手，成为影响芯片性能和功率的关键因素。
传统的芯片设计中，寄生效应（如电感、电容和电阻）几乎在后期才被纳入考量。然而，随着芯片技术的不断进步，大型芯片厂商为突破光罩尺寸限制，从平面 SoC 转向定制封装的多芯片组装。这一转变虽然带来了新的发展机遇，但也引入了更多互连结构和复杂交互，使得寄生效应的识别与抑制难度大幅增加。
例如，混合键合连接使芯片堆叠彼此非常接近，不同封装技术导致芯片间耦合产生显著影响。在 2.5D 或 3D - IC 设计中，硅通孔等元件的引入带来了新的寄生效应，芯片间和芯片内的相互作用也变得更加复杂。这些寄生效应不仅影响信号本身，还对电源完整性造成影响，因此寄生提取成为所有基于小芯片的系统设计和验证的关键步骤。
小芯片的日益普及让情况变得更加复杂。中介层、其他小芯片、电源、噪声等因素都会对单个小芯片产生影响，平面建模变得极具挑战性，需要分层建模能力。小芯片设计师需要从系统级角度使用边界值进行分析，这对方法论提出了新的要求。
同时，小芯片使用不同的工艺技术开发，不同的工艺角使得组合成系统时的情况更加复杂。此外，还需要考虑热效应、电迁移、信号完整性、耦合和失配等问题。在寄生提取工具的选择上，也面临着困境，全波求解器虽然准确，但无法应对复杂性、性能、集成和流程等问题。
随着频率上升和工艺节点下降，电感等物理效应变得更加明显，热效应也会改变电阻。在先进节点，布局相关效应（LDE）也需要被考虑，即导线或晶体管的行为不仅取决于自身特性，还受周围元件放置方式的影响。
在多芯片 / 小芯片和 3D - IC 设计中，这些物理效应相互叠加，不仅要关注单个小芯片，还要考虑小芯片系统内或芯片堆叠间的关系。高速通信通道需要完整的 RLC 和电磁分析，垂直连接如 TSV 也需要 RLC 模型。
从单芯片转向多芯片或堆叠芯片时，对热强度、电磁干扰、电源分布等问题的关注度呈指数级增长。在提取过程中，需要考虑如何处理这些问题，确保设计在电源完整性（PI）和信号完整性（SI）方面的安全性。
目前，单片方面的各种流程，如热空气提取、电感提取、电源网格提取等，都需要移植到堆叠芯片设计中。负责模型签核的人员需要回答一系列基本问题，以确保设计的可靠性。
