海力士推出321层NAND

类别:新品快报  出处:网络整理  发布于:2024-11-25 11:33:27 | 208 次阅读

  海力士已开始量产全球首款 321 层 NAND,这是一种容量为 1Tb 的三层单元 4D 存储器。
  继去年6月推出238层NAND之后,海力士通过堆叠技术的突破,成为全球超过300层的tNAND供应商。
  321 层器件的写入时间缩短了 12%,读取时间缩短了 13%。与238层器件相比。
  该公司计划从明年上半年开始向客户提供321层产品。
  随着公司成功采用“三塞”工艺技术,堆叠超过300层成为现实。
  该工艺在3次插塞工序完成后,通过优化的后续工序将3个插塞连接起来。对于这一过程,海力士开发了一种低应力材料,同时引入了自动校正插头之间对齐的技术。
  通过在 321 高产品上采用与 238 高 NAND 相同的开发平台,该公司还可以通过限度地减少工艺切换的影响,与上一代产品相比,将生产率提高 59%。
关键词:海力士NAND

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