据分析机构 TechInsights 称，英特尔的 18A 可以提供更高的性能，而台积电的 N2 可能会提供更高的晶体管密度。TechInsights 分析师认为，台积电的 N2 提供了 313 MTr/mm2的高密度 (HD) 标准单元晶体管密度，远远超过英特尔 18A (238 MTr/mm2) 和三星 SF2/SF3P (231 MTr/mm2) 的 HD 单元密度。虽然这些信息与18A、N2 和 N3 的 SRAM 单元大小以及台积电对 N2 和 N3 的预期大致相符，但仍有一些事项需要注意。
　　首先，这仅涉及 HD 标准单元。几乎所有依赖节点的现代高性能处理器都使用高密度 (HD)、高性能 (HP) 和低功耗 (LP) 标准单元的混合体，更不用说像台积电的 FinFlex 和 NanoFlex 这样的功能了。
　　其次，目前尚不清楚英特尔和台积电的 HP 和 LP 标准单元如何比较。虽然可以合理地假设 N2 在晶体管密度方面领先，但其领先优势可能不如 HD 标准单元那么大。第三，在 IEDM 活动上发表的论文中，英特尔和台积电都披露了其下一代 18A 和 N2 制造工艺相对于其前代工艺的性能、功率和晶体管密度优势。不过，目前还没有办法将这两种制造技术进行正面比较。
　　在性能方面，TechInsights 认为英特尔的 18A 将领先于台积电的 N2 和三星的 SF2（以前称为 SF3P）。然而，TechInsights 使用了一种有争议的方法来比较即将推出的节点的性能，因为它使用台积电的 N16FF 和三星的 14nm 工艺技术作为基准，然后添加两家公司宣布的节点到节点性能改进来做出预测。虽然这可能是一个估计值，但它可能并不完全准确。
　　另一方面，英特尔专注于制造高性能处理器，因此 18A 可以针对性能和功率效率进行量身定制，而不是 HD 晶体管密度。归根结底，18A 支持背面供电网络 PowerVia，使用该网络的芯片可能比不支持此功能的台积电 N2 具有性能和晶体管密度优势。然而，这并不意味着每个 18A 芯片都会使用 PowerVia。
　　谈到功耗，TechInsights 分析师推测基于 N2 的芯片将比基于 SF2 的类似 IC 消耗更少的电量，因为近年来台积电在功耗效率方面一直处于领先地位。至于英特尔，这还有待观察，但至少 18A 将在这方面提供优势。
　　另一个被广泛流传的数字是，台积电2nm工艺的每片晶圆售价将达到3万美元。
　　TechInsights 提供全球领先的半导体成本和价格模型。在 3nm 投入生产之前，我们预计每片晶圆的成本低于 20,000 美元，一些客户联系我们，坚称 3nm 的价格为每片晶圆 20,000 至 25,000 美元。3nm 投入生产后，我们能够对台积电的财务状况进行专有取证，并确定我们是正确的，批量价格低于每片晶圆 20,000 美元，差数千美元。
　　从 3nm 晶圆每片不到 20,000 美元的价格到 2nm 晶圆每片 30,000 美元的价格，意味着价格上涨了 1.5 倍以上，密度也提高了 1.15 倍，晶体管成本大幅增加，这引发了一个问题：谁会支付这笔费用？我们的价格估计是每片不到 30,000 美元。还有报道称，苹果通常是台积电每个节点的主要客户，可能会因为价格原因放弃初的 2nm 使用，尽管我们也听到了反对的声音。
　　此次讨论的另一个要素是，台积电的大批量晶圆价格比小批量晶圆价格低很多，因此在任何讨论中都需要考虑批量。总体而言，我们认为 30,000 美元高于平均到大批量的定价。
　　如果台积电将 2nm 晶圆的价格定为每片 30,000 美元，他们将给客户带来很大压力，迫使他们转向英特尔和三星获取 2nm 级晶圆供应。