联华电子（简称 “联电”）在先进封装领域取得重大突破，其自行研发的高阶中介层（Interposer）已获得高通验证，距离量产出货更近一步，这一进展或将为联电带来新的发展机遇。
供应链消息显示，联电第一批中介层 1500 电容已顺利通过高通的电性测试，目前已进入试产阶段，预计 2026 年第一季度有机会实现量产出货。高通还采购了炉管机台放置在联电厂房。此次联电通过高通的产品主要适配高通的 IC 和存储器所需的电容规格。
联电的先进封装依靠光刻工具创建具有超精密硅通孔（TSV）的中介层，实现 2.5D 和 3D 设计中堆叠芯片之间的通信。早在十年前，联电就将硅通孔技术应用于 AMD 的 GPU 订单，早期经验为其赢得了高通的信任。自 2024 年末，联电与高通展开合作，共同开发用于高性能计算的先进封装，目标市场涵盖 AI PC、汽车芯片以及快速增长的 AI 服务器等领域。
目前，联电在新加坡已建立 2.5D 封装产能，并具备晶圆对晶圆键合技术。在中国台湾南科 Fab 12A 厂导入 14nm 制程，支持高阶定制化制造，还计划结合既有技术推进更完整的封装解决方案。2025 年，联电计划将先进封装产能向中国台湾地区扩展，尤其是混合键合和 3D IC 异质整合技术。此外，有消息称联电正在洽谈收购其 Fab 12A 工厂对面的瀚宇彩晶厂房。
联电表示不评论特定客户，但强调先进封装是公司积极发展的重点，将携手智原、矽统科技以及华邦电等合作伙伴，联合打造先进封装生态体系。
从联电 2025 年第一季度财报来看，该季度合并营收为 578.59 亿新台币，同比增长 5.91%，但净利润同比减少 25.76% 至 77.43 亿新台币。毛利率为 26.7%，较去年同期的 29.4% 有所下滑，主要受产能利用率下降、折旧增加及成熟制程价格竞争影响。通信、消费电子和计算机应用仍是主要收入来源，分别占比 39%、29% 和 13%。尽管 AI 服务器和车用电子需求增长，但联电在先进制程的收入占比仍较低，且先进封装业务尚未形成规模贡献。
2024 年联电研发投入达新台币 156 亿元，重点支持先进封装和特殊制程开发。2025 年第一季度研发费用未单独披露，但联电表示将持续投入混合键合和 3D IC 技术，目标在 2026 年实现量产突破。资本支出方面，2025 年预计低于 2024 年的 32.98 亿美元，主要用于新加坡 Fab 12i 厂扩建（22/28nm 产能）和中国台湾地区先进封装产线建设。
