晶圆代工大厂联电（UMC）正积极拓展业务版图，欲在先进封装等高附加值领域开辟新的天地。据相关报道，联电正在考虑收购南科的瀚宇彩晶厂房，以此来推动其先进封装技术的发展。
尽管联电对市场上关于收购厂房的传言未作直接回应，但公司高层透露，未来在中国台湾地区的产能规划将持续扩展，特别是在先进封装领域。目前，联电在新加坡已经建立了 2.5D 封装产能，并且掌握了晶圆对晶圆键合（Wafer-to-Wafer Bonding）技术。这项技术在 3D IC 制造中起着关键作用，是能够在原子级层面进行晶圆堆叠的重要工艺。此外，联电在南科运营的 Fab 12A 厂自 2002 年开始量产，现已导入 14nm 制程，专注于高阶定制化制造。
联电财务长刘启东在回应是否有意购置该厂时表示，无法对市场传闻作出回应，但强调公司会持续寻找对营运与获利有正面帮助的机会，包括厂房设定、技术合作与新投资案等。他明确指出，中国台湾始终是联电扩产的重要选项。
在未来扩产方向上，刘启东强调，联电将不再局限于传统晶圆代工，会积极跨足先进封装等高附加值领域。目前公司在中国台湾的产线也已具备相关制程能力。未来，联电将持续发展整套的先进封装解决方案，把晶圆代工与封装进行整合，朝着完整服务体系迈进，而不只是单纯的制程投入。
从技术布局来看，联电计划继续与英特尔合作，专注于 12nm 制程。早在 2024 年初，联电就与英特尔宣布合作开发 12nm 制程平台，以应对移动通信和网络基础设施市场的快速增长。双方采取分工合作的模式，英特尔负责当地制造，联电则负责制程开发、销售与服务流程技术。在今年 5 月 28 日举行的联电年度股东大会上，刘启东指出，与英特尔合作的 12nm 节点制程是联电重要的发展计划之一，预计量产时间为 2027 年。目前，联电几乎将所有重要的研发资源都投入到这个 12nm 计划中，英特尔不仅是合作伙伴，也是核心客户，正处于设计导入阶段。联电与英特尔合作开发的 12nm FinFET 制程技术平台进展顺利，预计 2026 年完成制程开发并通过验证。
此外，联电还公布了封装领域的进展，晶圆级混合键合技术、3D IC 异质整合等技术已成功开发，未来将全面支持边缘及云端 AI 应用。不过，联电表示，尽管目前硅中介层的月产量约为 6,000 片，但未来将不再扩产，而是把重心转向更高附加值的整合型技术。
