NT5CB256M8FN-DI是南亚（NANYA）公司推出的一款2GB DDR3 同步动态RAM,该芯片除按照DDR3 DRAM特性进行设计外，所有的控制及地址输入都能与外部提供的时钟保持同步。在一般应用程序数据传输中，其DDR传输速率可高达1600Mb/sec/pin。该芯片主要适用于需大量存储密度和高带宽的主内存的应用程序。 NT5CB256M8GN-CG的主要功能特性包括： 1、VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V (JEDEC标准电源) 2、VDD = VDDQ = 1.35V -0.0675V/+0.1V (向后兼容的VDD= VDDQ = 1.5V±0.075V) 3、8内存序列(BA0- BA2) 4、差分时钟输入 5、可编程延迟（）：5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 6、写入延迟（CWL）：5，6，7，8，9 7、在CAS添加可编程附加延迟（Al）：0, CL-1, CL-2时钟 8、可编程顺序/交错突发式ZQ引脚(RZQ:240 ohm±1%) 9、可编程的突发长度：4, 8 10、8N位预取架构 11、输出驱动的阻抗控制 12、差动双向数据选通 13、内部（自我）校准：内部自校准 14、OCD校准 15、动态ODT (Rtt_Nom & Rtt_WR) 16、自动刷新 17、自刷新温度 18、符合RoHS和无卤 19、封装：78-Balls BGA for x4, x8 components 建议零售价格仅用于预算，以元为单位，并且价格是浮动的。 若要查询有关批量价格、本地
W9864G6KH-6 W9864G6 W9864 TSSOP54 SDRAM SDR 64MX16 166MHZ
供应MX25L1606EM2I-12G
供应MX25L1606EZNI-12G
供应SST26VF016-80-5I-S2AE
供应SST26VF016-80-5I-QAE
供应IS42S16400J-7TL
供应MT41K256M16HA-125:E
供应MT48LC2M32B2P-6，64Mb存储容量SDRAM存储器
供应储存器MT46V64M16P-6T原装
供应IS45S32200E-7TLA1
供应旺宏128M 串口FLASH MX25L12835FM2I-10G
供应现代DDR3 H5TQ2G63DFR-H9C
供应南亚4*16 SDRAM /NT5SV4M16FS-6K
供应HYNIX DDR3 H5TQ2G63FFR-PBC
供应OLIMEXINO-STM32
供应内存芯片H5TQ2G83EFR-PBC，H5TQ2G83EFR-PBC原装现货
供应内存芯片H5TQ4G63MFR-PBC，H5TQ4G63MFR-PBC原装现货
供应DDR内存芯片NT5CB256M8GN-CG
供应DDR内存芯片NT5CB256M8FN-DI
AT45DB011B-SC
