MT41K256M16HA-125:E描述 Package：96FBGA 出厂包装说明：9 X 14 MM, LEAD FREE, FBGA-96 无铅：是 欧盟RoHS标准：是 状态：有效 技术：CMOS 包装形状：矩形 封装形式 ：网格阵列,超薄,精细间距 表面贴装 ：是 终端形式 ：BALL MT41K256M16HA-125:E端子间距：0.8000 mm 终端涂层 ：锡银铜 终端位置 ：底部 功能数量 ：1 端子数：96 包MT41K256M16HA-125:E主体材料：塑料/环氧树脂 内存宽度：16 组织：256M X 16 存储密度 :4.29E9 deg 操作模式 :同步 字数:2.68E8 Words 字数代码 :256M 电源电压- （Vsup）:1.45 V 电源电压值（Vsup）:1.28 V 电源电压标称值（Vsup）:1.35 V 访问模式 :Multi BANK PAGE Burst 记忆体IC型号:DDR DRAM
W9864G6KH-6 W9864G6 W9864 TSSOP54 SDRAM SDR 64MX16 166MHZ
供应MX25L1606EM2I-12G
供应MX25L1606EZNI-12G
供应SST26VF016-80-5I-S2AE
供应SST26VF016-80-5I-QAE
供应IS42S16400J-7TL
供应MT41K256M16HA-125:E
供应MT48LC2M32B2P-6，64Mb存储容量SDRAM存储器
供应储存器MT46V64M16P-6T原装
供应IS45S32200E-7TLA1
供应旺宏128M 串口FLASH MX25L12835FM2I-10G
供应现代DDR3 H5TQ2G63DFR-H9C
供应南亚4*16 SDRAM /NT5SV4M16FS-6K
供应HYNIX DDR3 H5TQ2G63FFR-PBC
供应OLIMEXINO-STM32
供应内存芯片H5TQ2G83EFR-PBC，H5TQ2G83EFR-PBC原装现货
供应内存芯片H5TQ4G63MFR-PBC，H5TQ4G63MFR-PBC原装现货
供应DDR内存芯片NT5CB256M8GN-CG
供应DDR内存芯片NT5CB256M8FN-DI
AT45DB011B-SC
