FF1400R12IP4
INFINEON（英飞凌）
无铅环保型
产品信息 集电极发射饱和电压, Vce: 1.75V 集电极发射电压, Vceo: 1.2kV 集电极直流电流: 1400A 针脚数: 12 工作温度值: 150°C 功耗 Pd: 7.65kW SVHC(高度关注物质): No SVHC (17-Dec-2014) 晶体管封装类型: Module 晶体管极性: N沟道 IGBT使用中的注意事项： 由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点： 在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸； 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块； 尽量在底板良好接地的情况下操作。 在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。 此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有
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