供应BF999E6327HTSA1

型号/规格：
BF999E6327HTSA1
品牌/商标：
Infineon
制造商：
Infineon
产品种类：
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
Id-连续漏极电流：
30 A
封装：
SOT-23

制造商:Infineon 产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RoHS:符合RoHS 详细信息晶体管极性:N-Channel Id-连续漏极电流:30 A Vds-漏源极击穿电压:20 V 技术:Si 工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel 商标:Infineon Technologies 工作温度:- 55 C Pd-功率耗散:200 mW 系列:BF999 工厂包装数量:3000 类型:RF Small Signal MOSFET Vgs - 栅极-源极电压:+/- 6.5 V 零件号别名:BF999E6327HTSA1 BF999E6327XT SP 单位重量:201 mg

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