ST采用新STripFET技术用于DC-DC转换器的功率MOSFET系列产品
意法半导体推出两款适用于直流—直流转换器的全新功率MOSFET（金属互补氧化物场效应晶体管）产品。新产品采用ST独有的版STripFET™制造技术，拥有极低的导通损耗和开关损耗，在一个典型的稳压模块内，两种损耗的减少可达3瓦。在同类
安森美半导体推出12款新的功率MOSFET器件，优化直流-直流(dc-dc)转换，并降低关键电平的功率损耗。这些MOSFET非常适用于笔记本电脑、台式电脑和游戏机等计算应用中的高低端开关，如中央处理器(CPU)、图形处理器(GPU)和系统输入端的d
安森美半导体(ONSemiconductor)推出12款新的功率MOSFET器件，优化直流-直流(dc-dc)转换，并降低关键电平的功率损耗。这些MOSFET非常适用于笔记本电脑、台式电脑和游戏机等计算应用中的高低端开关，如中央处理器(CPU)、图
分类：业界要闻 时间：2008/2/26 阅读：1016 关键词：MOSFET
安森美半导体推出12款新的功率MOSFET器件，优化直流-直流(dc-dc)转换，并降低关键电平的功率损耗。这些MOSFET适用于笔记本电脑、台式电脑和游戏机等计算应用中的高低端开关，如中央处理器(CPU)、图形处理器(GPU)和系统输入端的dc-
分类：新品快报 时间：2008/2/22 阅读：132 关键词：MOSFET
近日，NEC电子(欧洲)宣布推出新型低电压电源管理器件(PMD)。该系列产品的推出使P沟道NP系列产品可覆盖-15A至-100A的漏极电流。该系列产品采用普通的TO-252(DPAK)和TO-263(D2PAK)贴片封装。产品包含2种额定漏源电压(
Vishay推出单片功率MOSFET与肖特基二极管器件，与使用任何先前此类单片器件的电路相比，该器件在直流到直流转换应用中可将运行效率提高6%。新型VishaySiliconixSi4642DYSkyFET器件已经过测试，可匹敌竞争的单片MOSFE
意法半导体针对工业应用推出微欧功率MOSFET晶体管STV300NH02L
意法半导体日前推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET，这款新产品的特性是导通电阻极低，达到微欧的水平，在要求严格的电源系统中，新产品有助于降低损耗，提高能效。这个高电流的N沟道MOSFET器件是为并联电源专门设计的，为了提高系统
据日经BP社报道，意法半导体(STMicroelectronics)上市了导通电阻仅800μΩ，设想用于服务器并联电源的N通道功率MOSFET。产品名称为“STV300NH02L”。主要用于减小电源系统的电力损耗及提高转换效率。为提高服务器电源系统
意法半导体(ST)推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET，这款新产品的特性是导通电阻极低，达到微欧的水平，在要求严格的电源系统中，新产品有助于降低损耗，提高能效。这个高电流的N沟道MOSFET器件是为并联电源专门设计的，为了提高
意法半导体(ST)推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET，这款新产品的特性是导通电阻极低，达到微欧的水平，在要求严格的电源系统中，新产品有助于降低损耗，提高能效。这个高电流的N沟道MOSFET器件是为并联电源专门设计的，为了提高
意法半导体（纽约证券交易所：STM)今天推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET，这款新产品的特性是导通电阻极低，达到微欧的水平，在要求严格的电源系统中，新产品有助于降低损耗，提高能效。这个高电流的N沟道MOSFET器件是为并联电
Vishay推出面向OR-ing应用的TrenchFET功率MOSFET
Vishay推出三款面向OR-ing应用的功率MOSFET，这些器件具有三种封装选择，可提供的导通电阻性能，凭借这三款器件，公司将有助于提高固定电信网络的效率。在企业服务器网络中，OR-ing功能可在主电源出现故障时接通冗余电源，以确保为系统持
Microsemi推出工作电压为165V的射频功率MOSFET
Microsemi公司近期新推出一款适用于MRI、CO2激光器、RF等离子发生器以及宽带线性放大器的VHF频段射频功率MOSFET。Microsemi此次所推出的这款型号为ARF521的RFMOSFET采用了的专利生产技术和改良工艺，性能稳定，
分类：新品快报 时间：2007/9/11 阅读：2338 关键词：MOSFET
Vishay新款功率MOSFET在1.2V栅源电压时具有额定导通电阻值
Vishay(威世)日前宣布推出业界首批在1.2V栅源电压时具有额定导通电阻值的功率MOSFET，这一进步将帮助设计人员简化电源管理电路，同时延长便携式电子系统中的电池运行时间。额定电压为1.2V的这些新型VishaySiliconixTrench
Vishay功率MOSFET在1.2V栅源电压时导通电阻值额定
Vishay(威世)日前宣布推出业界首批在1.2V栅源电压时具有额定导通电阻值的功率MOSFET，这一进步将帮助设计人员简化电源管理电路，同时延长便携式电子系统中的电池运行时间。额定电压为1.2V的这些新型VishaySiliconixTrench
