日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布推出新款100VN沟道TrenchFET功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，将Vishay的ThunderFET应用到更小的封装尺寸上。SiB456DK和SiA41
Vishay推出新款Vishay Siliconix功率MOSFET
AvagoTechnologies推出具有业界绝缘效能的新闸极驱动光耦合器产品。在成功推出ACNV4506/2601/260E等产品并获得高功率应用设计工程师青睐后，Avago进一步将这个封装平台扩展到闸极驱动光耦合器产品，新推出的ACNV31
MicrochipTechnologyInc宣布推出全新电源转换控制器系列及其功率MOSFET器件系列。全新脉宽调制(PWM)控制器与配套的低品质因数(FOM)MOSFET产品系列组合支持高效的DC/DC电源转换设计，几乎涵盖了所有的消费电子和
意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)推出系列高可靠性、高能效的功率晶体管，助力技术型企业满足日益严格的生态设计标准对功率和能效的要求，瞄准太阳能微逆变器、光伏模块串逆变器和电动汽车等绿色能源应用。新产品包括业内可承受
日本知名半导体制造商罗姆株式会社面向太阳能发电的功率调节器市场，开发出实现了业内低导通电阻的高耐压功率MOSFET"R5050DNZ0C9"(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。本产品采用散热性卓越的TO247PLUS封装，于2
分类：新品快报 时间：2012/5/3 阅读：402 关键词：MOSFET
Vishay推出Si8497DB和Si8487DB功率MOSFET
日前，Vishay宣布引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的p沟道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，扩充其MICROFOOTTrenchFETGenIII功率MOSFET家族。新的Si8497DB是业内首款采用小巧的1mm
日前，Vishay（威世）宣布，其VishaySiliconixSiR662DPTrenchFET荣获媒体《电子技术应用》(AET)的“中国电子产品”奖。在采用SO-8或PowerPAKSO-8封装的60V器件中，SiR662DP60VN沟
分类：新品快报 时间：2011/12/20 阅读：1603 关键词：MOSFET
日前，集设计、开发和全球销售的功率半导体供应商AOS半导体有限公司（AOS），发布了具有行业标准的高功率密度和高效能的功率MOSFET，它们的DFN3X3封装厚度只有超薄的0.8毫米。新的产品上应用了AOS的AlphaMOS专利技术。这些技术的
分类：新品快报 时间：2011/12/15 阅读：2741 关键词：MOSFET
SiR870DP功率MOSFET和34THE霍尔传感器分获大奖
日前，Vishay（威世）宣布，其SiR870DP功率MOSFET和34THE霍尔效应传感器荣获EDNChina2011创新奖。在12月1日上海举行的颁奖典礼上，SiR870DP荣获功率器件和模块类的产品奖，34THE被授予无源元件和传感器类的
Vishay推出SiZ300DT和SiZ910DT不对称功率MOSFET
Vishay目前宣布推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以扩充用于低电压DC/DC转换器应用的PowerPAIR家族双芯片不对称功率MOSFET。新器件扩大了该系列产品的电压和封装占位选项，使Vishay成为3mmx3mm、6m
近日消息，据外媒报道，半导体制造商ROHM株式会社新推出导通电阻仅34mΩ的高耐压型功率MOSFET——R5050DNZ0C9(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)，该元件采用硅深掘蚀刻技术以简化制程，并实现超接面(SuperJunc
Vishay发布2N6660ANTXV等2款功率MOSFET
日前，Vishay(威世)宣布，VishaySiliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的，分别是60V2N6660JANTX/JANTXV和90V2N6661JANTX/JANTXV。对于军工、航天和航空应用，这些采用密封TO-
Vishay推出Si8802DB和Si8805EDB功率MOSFET
日前，Vishay（威世）宣布，推出业内采用最小的0.8mmx0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8VN沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDBTrenchFET功率MOSFET所用
昨日消息，Vishay（威世）宣布推出新系列600V和650Vn沟道功率MOSFET---E系列器件。新产品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低导通电阻，以及22A～47A的额定电流范围。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super
威世SiR662DP功率MOSFET荣获Top-10 DC/DC电源产品奖
Vishay（威世）目前宣布，其SiR662DP60Vn沟道TrenchFET功率MOSFET被《今日电子》杂志评为第九届年度Top-10DC/DC电源产品奖的获奖产品。《今日电子》的编辑从开创性的设计、在技术或应用方面取得显著进步、性价比显著提高
分类：新品快报 时间：2011/10/10 阅读：1136 关键词：MOSFET
