英国Pickering公司推出新款基于MEMS（微机电系统）的射频开关模块
英国Clacton-on-sea。Pickering Interfaces公司作为生产用于电子测试及验证领域的信号开关与仿真解决方案的主要厂商，于今日发布了一款采用新的开关技术的PXI/PXIe射频多路复用开关模块新产品。...
分类：新品快报 时间：2023/6/27 阅读：354 关键词：射频开关模块
Rohde ＆ Schwarz - 罗德与施瓦茨联合FormFactor为得克萨斯大学奥斯汀分校研究5G和6G改进型射频开关提供支持
罗德与施瓦茨（以下简称“R&S”）、得克萨斯大学奥斯汀分校（以下简称“UT Austin”）、和FormFactor合作并开发了一种用于射频开关的新技术，该技术可以提高电池寿命，支持更高的带宽和开关速度。 连接到R&S ZC170频率扩展器...
时间：2022/8/18 阅读：137 关键词：电子
随着5G技术逐渐走向成熟，5G智能手机全面普及。专门负责手机等终端设备收发无线电磁波的射频系统在迈向5G新时代中面临全新挑战。 射频系统分为射频前端（RFFE，RadioFrequencyFront-End）、天...
分类：新品快报 时间：2022/6/13 阅读：1248
MASW系列产品组合的新产品涵盖DC到26.5 GHz和17.7到31 GHz频率范围，具有低插入损耗和高隔离度特性 MACOM的专有开关技术可将开关速度大幅提升至12 ns 全新解决方案将在2018年国际微波大会的1125号展位展示 2018年6月12日，马萨诸塞州洛...
分类：名企新闻 时间：2018/8/15 阅读：929 关键词：开关
派更新推高掷数射频开关，可为测试与测量设计提供无可比拟的灵活性和高性能
RF SOI（射频绝缘体上硅）的发明者及先进射频解决方案的先驱派更（Peregrine）半导体公司推出UltraCMOS PE42562、PE42582和PE42512高掷数射频开关。经过优化的SP6T、SP8T和SP12T吸收式开关旨在满足下一代测试和测量仪器的需求，宽频范围可达9kHz~8G...
分类：新品快报 时间：2017/5/17 阅读：667 关键词：射频开关
派更半导体推出UltraCMOS PE42562、PE42582和PE42512高掷数射频开关
据报道：RF SOI（射频绝缘体上硅）的发明者及先进射频解决方案的先驱派更（Peregrine）半导体公司推出UltraCMOS? PE42562、PE42582和PE42512高掷数射频开关。经过优化的SP6T、SP8T和SP12T吸收式开关旨在满足下一代测试和测量仪器的需求，宽频范围可...
分类：新品快报 时间：2017/4/27 阅读：483
英飞凌科技股份公司宣布，其用于智能电话和平板电脑的射频开关的出货量已经突破10亿大关。这凸显了英飞凌作为发展速度最快的射频开关供应商之一的地位。预计，今后数年，随着新一代智能电话和平板电脑集成越来越多的LTE频段，射频开关需求将呈两位...
分类：新品快报 时间：2014/6/30 阅读：598 关键词：射频开关
Peregrine Semiconductor 首度亮相环境汽车设计专用 SPDT 射频开关
高性能射频集成电路(RFIC)的无晶圆供应商PeregrineSemiconductorCorporation（NASDAQ：PSMI）今天宣布，公司推出了一款通过汽车电子协会(AEC)Q100认证的SPDT射频开关。这款HaRP技术增强型PE42
时间：2013/5/13 阅读：877 关键词：Semiconductor射频开关
Peregrine Semiconductor 推出SPDT射频开关
PeregrineSemiconductorCorporation（NASDAQ：PSMI）是一家高性能射频集成电路(RFIC)的无晶圆供应商。该公司于今天宣布，业内绝缘度的SPDT射频开关正式应用于无线基础设施市场。基于UltraCMOS的P
分类：新品快报 时间：2013/5/13 阅读：921 关键词：Semiconductor射频开关
英飞凌科技股份公司宣布该公司正在批量供应款采用CMOS工艺在硅晶圆上制成的射频开关，这种射频开关具有与采用砷化镓（GaAs）工艺制成的射频开关相同的性能——这是一项前所未有的技术突破。迄今为止，CMOS射频开关只能采用专用的、价格昂贵的蓝宝
英飞凌交付首款具有砷化镓性能的硅基CMOS射频开关BGS12A
英飞凌科技股份公司(Infineon)近日宣布，该公司正在批量供应款采用CMOS工艺在硅晶圆上制成的射频开关，这种射频开关具有与采用砷化镓(GaAs)工艺制成的射频开关相同的性能。迄今为止，CMOS射频开关只能采用专用的、价格昂贵的蓝宝石晶片制
英飞凌科技股份公司（FSE/NYSE:IFX）近日宣布，该公司正在批量供应款采用CMOS工艺在硅晶圆上制成的射频开关，这种射频开关具有与采用砷化镓（GaAs）工艺制成的射频开关相同的性能——这是一项前所未有的技术突破。迄今为止，CMOS射频
RFMD采用GaAs pHEMT工艺制造射频开关RF1200和RF1450
RFMD近日在美国加利福尼亚举行的IEEERadioandWirelessconference(IEEE射频无线会议)上展出其的两款射频开关RF1200和RF1450。RF1200和RF1450利用RFMD业界的GaAs生产工艺，并将进一步
分类：新品快报 时间：2007/1/31 阅读：626 关键词：射频开关
RFMD射频开关RF1200和RF1450采用GaAspHEMT工艺制造
RFMD近日在美国加利福尼亚举行的IEEERadioandWirelessconference(IEEE射频无线会议)上展出其的两款射频开关RF1200和RF1450。RF1200和RF1450利用RFMD业界的GaAs生产工艺，并将进一步
分类：新品快报 时间：2007/1/31 阅读：390 关键词：射频开关
RFMD近日宣布在美国加利福尼亚举行的IEEERadioandWirelessconference(IEEE射频无线会议)上展出其的两款射频开关——RF1200和RF1450。此次IEEE射频无线会议于元月9~11日举行。RF1200和RF14
分类：新品快报 时间：2007/1/30 阅读：1563 关键词：射频开关
