10月28日，美国IBM研究所科学家宣称，研制的碳纳米管芯片符合了“摩尔定律”周期，依据摩尔定律，计算机芯片每18个月集成度翻番，价格减半。传统的晶体管是由硅制成，然而目前硅晶体管已接近了原子等级，达到了物理极限，由于这种物质的自然属性，...
分类：行业趋势 时间：2012/10/31 阅读：872 关键词：计算机
研究中，科学家研发出了一种制造碳纳米管的新方式，让纳米管的金属性和半导体性之间的平衡达到了化。新纳米管网络中包含有直的、相对较长（10微米）的纳米管（其中30%是金属），而且，新网络的...
分类：业界要闻 时间：2011/2/21 阅读：1818 关键词：晶体管
近日，NEC宣布为日本独立行政法人海洋研究开发机构所建置的快速超级计算机“地球模拟器”，通过激光照射碳纳米管的氯化氢分子，在全世界首次通过计算机模拟器高效地预测出产生氢的光化学反应。这项模拟实验不仅成功在氢产生领域，还由于大大提高了...
分类：业界要闻 时间：2011/1/5 阅读：1048 关键词：科学家
最近斯坦福大学研制出了三维碳纳米管结构电路，这项成果可能标志着科学家在研制纳米管计算机方面又取得了一项重要的进展，纳米管计算机相比现有的硅半导体计算机在运算速度和省电性能方面拥有较大的优势。尽管纳米管计算机还需要10年左右的时间才有...
分类：业界要闻 时间：2009/12/23 阅读：7171 关键词：集成电路
据英国皇家化学学会网站18日报道，美国科学家开发出一种简单、可行的碳纳米管混合物的净化方式。其可借助紫外线和空气中的氧生成净化的半导性纳米管，这对发展下一代计算机芯片具有非凡价值。相关文章发表于近期的《纳米快报》网络版。由于碳纳米管...
分类：业界要闻 时间：2009/9/28 阅读：1682 关键词：半导体
美国科学家使用一个碳纳米管制造出了世界上最小的白炽灯，灯丝长1.4微米、宽13纳米。美国加州大学的克瑞斯·里根团队将一个钯和金电极分别粘附于碳纳米管的两端，碳纳米管则穿过一个硅芯片上的细小的洞，被置于真空中。当电流通过碳纳米管时，碳纳...
荷兰KavliInstituteofNanoScience的研究人员成功地利用高可调性碳纳米管双量子点捕获单个电子。这一突破有助于开发制造超净纳米管量子点的新方法。该研究团队由Spinoza奖得主LeoKouwenhoyen领导，称他们发现一种新的
分类：名企新闻 时间：2009/5/27 阅读：859 关键词：科学家
自从1958年发明集成电路以来，计算机产业的发展趋势就是使硬件体积越变越小。如今，英国科学家正在尝试用性能独特的碳纳米管来生产低成本、小体积的存储器元件，这些原件耗电量极低，但能以高速记录信息。根据摩尔定律，一个大小固定的集成电路芯片...
分类：业界要闻 时间：2009/4/8 阅读：272 关键词：存储器
据日经BP社报道，美国IBM研究开发部门IBMResearch当地时间2009年3月1日宣布，成功开发出通过电流测量碳纳米管（CNT）发热和热传递的技术。对于将CNT作为电路元件使用时，该技术有助于收集基本数据和改善性能。详细内容将刊登在英国科学杂
分类：名企新闻 时间：2009/3/9 阅读：967 关键词：IBM
美国IBM研究开发部门IBMResearch当地时间2009年3月1日宣布，成功开发出通过电流测量碳纳米管（CNT）发热和热传递的技术。对于将CNT作为电路元件使用时，该技术有助于收集基本数据和改善性能。详细内容将刊登在英国科学杂志“《自然—纳米技
分类：名企新闻 时间：2009/3/6 阅读：871 关键词：IBM
根据导电性质的不同，碳纳米管可分为金属型和半导体型，但在合成过程中，两种类型的碳纳米管总是混合在一起。美国杜邦公司和康奈尔大学的研究人员最近开发了一种分离不同类型碳纳米管的技术，《科学》杂志9日刊登了这一成果。在成果中，研究人员利...
分类：名企新闻 时间：2009/1/12 阅读：773
IBM在纳米技术上继续前行，日前其研究人员在一篇新的论文中详细介绍了IBM在纳米技术领域取得的重要技术突破。基于单碳纳米管，IBM科学家在位于纽约YorktownHeights的实验室集成并控制了一个电力驱动光发射器，这在开发基于纳米管的电子和纳米
时间：2008/8/26 阅读：960 关键词：IBM
据日经BP社报道，日本产业技术综合研究所（产综研）宣布，成功使用高纯度半导体单层碳纳米管（SWCNT）制成了晶体管。晶体管的导通/截止比（导通时与截止时的漏极电流之比）为1×105以上，载流子迁移率超过2cm2/Vs。产综研开发了可获得高浓度SWC
芯片工艺技术进程在2011年前，即可能遭遇瓶颈。相对纳米科技已开始介入处理器、存储器…等芯片工艺，凡小于100纳米(nanometer)的零组件产品，都可以看见它们的身影。基本上，芯片中的铜导线有其物理极限，所以芯片商需要借碳纳米管在硅芯片上布线，
分类：业界要闻 时间：2008/6/17 阅读：1484
日本产业技术综合研究所（产综研）宣布，成功使用高纯度半导体单层碳纳米管（SWCNT）制成了晶体管。晶体管的导通/截止比（导通时与截止时的漏极电流之比）为1×105以上，载流子迁移率超过2cm2/Vs。产综研开发了可获得高浓度SWCNT的技术，并在晶
