Vishay（威世）的SIRA12DP-T1-GE3是一款N沟道30V（D-S）MOSFET。

一、基本参数

• 产品种类：MOSFET
• 制造商：Vishay Semiconductors
• 品牌：VISHAY（威世）
• 封装：PowerPAK SO-8
• 晶体管极性：N-Channel（N沟道）
• 通道数量：1 Channel（单通道）

二、电气特性

• 漏源极击穿电压（Vds）：30 V
• 连续漏极电流（Id）：25 A（在25。C时）
• 漏源导通电阻（Rds On）：
  • 4.3 mΩ @ 10A, 10V
  • 注意：不同条件下导通电阻可能有所不同
• 栅极-源极电压（Vgs）：
  • -16 V 至 %2B20 V
• 栅源极阈值电压（Vgs th）：2.2 V @ 250 uA
• zui大功率耗散（Pd）：31 W（在Ta=25。C时）

三、温度范围

• zui小工作温度：-55 。C
• zui大工作温度：+150。C

四、其他特性

• 通道模式：Enhancement（增强型）
• 配置：Single（单配置）
• 技术：采用TrenchFET。 Gen IV power MOSFET技术
• 封装形状：RECTANGULAR（矩形）
• 封装主体材料：PLASTIC/EPOXY（塑料/环氧树脂）
• zui大结点到环境热阻（RthJA）：25-28 。C/W
• zui大结点到外壳（漏极）热阻（RthJC）：3.2-4 。C/W

五、应用

SIRA12DP-T1-GE3因其高性能和可靠性，广泛应用于需要高效能电力转换和控制的场景，如：

• 高功率密度DC/DC转换器
• 同步整流
• VRMs（电压调节模块）和嵌入式DC/DC转换器

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