您现在的位置:维库电子市场网 > 元器件 > 场效应管MOSFET > MOSFET
商铺首页 公司简介 IC产品 供应产品 诚信档案 客户留言

IRF9910TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

IRF9910TRPBF MOSFET  ▊进口原装现货▊
IRF9910TRPBF MOSFET  ▊进口原装现货▊
金牌会员 第 14
  • 企业名:深圳市凯斯宇科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-28892811

    手机:13717085518

    联系人:张凯

    QQ: QQ:375496263

    微信:

    邮箱:szksy82@126.com

    地址:广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼

商品信息 更新时间:2020-06-17

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:SO-8
晶体管极性:N沟道
通道数量:2频道
Vds-漏源极击穿电压:20 V
Id-连续直流电流:10 A
Rds上漏源导通电阻:18.3 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Pd-功率耗散:2 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:双
高度:1.75毫米
长度:4.9毫米
晶体管类型:2 N沟道
宽度:3.9毫米
商标:Infineon Technologies
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRF9910TRPBF SP001575370
单位重量:540毫克
应用领域
•用于台式机,服务器,图形卡,游戏机和机顶盒中的POL转换器的双SO-8 MOSFET
•无铅
好处
•VDS在4.5V VGS时非常低的RDS(on)
•低门收费
•完全表征的雪崩电压和电流
•20V VGS。 门额定值

额定值

Parameter

Q1 Max.

Q2 Max.

Units

VDS

Drain-to-Source Voltage

20

V

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

10

12

 

A

ID @ TA = 70°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

8.3

9.9

IDM

Pulsed Drain Current CD

83

98

PD @TA = 25°C

Power Dissipation

2.0

W

PD @TA = 70°C

Power Dissipation

1.3

 

Linear Derating Factor

0.016

W/°C

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55  to + 150

°C

热阻

Parameter

Typ.

Max.

Units

RqJL

Junction-to-Drain Lead

–––

42

°C/W

RqJA

Junction-to-Ambient ®�

–––

62.5

雪崩特性

 

Parameter

Typ.

Q1 Max.

Q2 Max.

Units

EAS

Single Pulse Avalanche Energy

–––

33

26

mJ

IAR

Avalanche Current CD

–––

8.3

9.8

A

联系方式

企业名:深圳市凯斯宇科技有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-28892811

手机:13717085518

联系人:张凯

QQ: QQ:375496263

微信:

邮箱:szksy82@126.com

地址:广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼

提示:您在维库电子市场网上采购商品属于商业贸易行为。以上所展示的信息由卖家自行提供,内容的真实性、准确性和合法性由发布卖家负责,请意识到互联网交易中的风险是客观存在的。请广大采购商认准带有维库电子市场网认证的供应商进行采购!

电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9