本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：DirectFET-ME
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：60 V
Id-连续直流电流：116 A
Rds漏源导通电阻：3.5毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：3.7 V
Qg-萘甲酸：120 nC
工作温度：-55 C
工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：115 W
商标名：StrongIRFET
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：0.7毫米
长度：6.35毫米
MOSFET晶体管类型：1 N沟道
宽度：5.05毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-加速度：190 S
下降时间：21 ns
湿度敏感性：是
产品类型：MOSFET
上升时间：38 ns
工厂包装数量：4800
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：53 ns
典型起始延迟时间：20 ns
零件号别名：IRF7580MTRPBF SP001551448
单位重量：300毫克
应用
有刷电机驱动应用
BLDC电机驱动应用
电池供电电路
半桥和全桥拓扑
同步整流器的应用
谐振模式电源
ORing和冗余电源开关
DC/ DC和AC / DC转换器
DC/ AC逆变器
好处
改善门，雪崩和动态dv / dt耐用性

全面的电容和雪崩SOA
增强体二极管的dv / dt和di / dt能力
无铅，符合RoHS标准
额定值

Symbol	Parameter	Max.	Units
ID @ TC = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	114	A
ID @ TC = 100°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	72
IDM	Pulsed Drain Current 	452
PD @TC = 25°C	Maximum Power Dissipation	96	W
	Linear Derating Factor	0.78	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 150	°C

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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