应用范围 通用 品牌/商标 MITSUBI/三菱 产品系列 3G3JV 型号/规格 QM75TX-H 额定电压 单相/三相AC200（V） 适配电机功率 5.5（kW） 滤波器 内置1A滤波器 控制方式 电压矢量 供电电压 低压 电源相数 单相 输出电压调节方式 PAM控制 外型 塑壳 营销方式 现货 额定电流 30（A） 电机容量 5500（KVA）
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品牌:SEMIKROM 型号:SKM150GB123D 批号:09 封装:模块 营销方式:现货 产品性质:* 处理信号:数模混合信号 制作工艺:混合集成 导电类型:双*型 集成程度:大规模 规格尺寸:来电咨询（mm） 工作温度:-40~125（℃） 静态功耗:来电咨询（mW）咨询电话：， 联系人：林永华，林盼盼 线上线下同时经营，有实体店，欢迎顾客来电咨询，上...
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品牌:IR美国国际整流器公司 型号:IRGPC50KD2 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:600伏（V） 夹断电压:600伏（V） 低频跨导:30安（μS） *间电容:30安（pF）明达电子商行是汕头市规模的电子元件供应商之一；我们享有惠的...
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品牌:INFINEON 型号:FF200R12KE4 批号:200A，1200V 封装:IGBT模块 营销方式:现货 产品性质:* 处理信号:数字信号 制作工艺:半导体集成 导电类型:双*型 集成程度:中规模 工作温度:-40~125（℃）现货
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型号:QM200HA-2H 输入电压范围:1000（V） QM50HY-2H 50A/1000V/1U QM100HY-2H 100A/1000V/1U QM150HY-2H 150A/1000V/1U QM200HA-2H 200A/1000V/1U QM200HA-24 200A/1200V/1U QM300HA-2H 300A/1000V/1U QM300HA-24 300A/1200V/1U QM400HA-24 400A/1200V1U QM600HA-24 600A/1200V/1U
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品牌:*国产 型号:模块 批号:08+ 封装:模块 营销方式:现货 产品性质:* 工作温度:-40~125（℃）深圳市鑫源兴电子华强北赛格广场 1A015 柜台新亚洲二期 N3C688 房间模块系列，二三*管，电阻电容，集成IC等SMD/DIP各类电子元器件及配套服务。/传真：手机： 林生QQ：E-mail：
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电话：0755-83989980
手机：18927438319
品牌:英飞凌 型号:H25R1202 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:·（V） 夹断电压:·（V） 低频跨导:·（μS） *间电容:·（pF） 低频噪声系数:·（dB） 漏*电流:&am...
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品牌/商标 优派克 型号/规格 FZ600R17KE3 控制方式 温控 *数 二* 封装材料 塑料封装 封装外形 平底形 关断速度 高频(快速) 散热功能 不带散热片 功率特性 大功率 频率特性 高频 额定正向平均电流 600（A） 控制*触发电压 1700（V） 控制*触发电流 100（mA） 正向重复峰值电压 10（V） 反向阻断峰值电压 1（V）
电话：010-82398845
品牌:INF 型号:H20T120 封装形式:直插型 种类:结型 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 营销方式:现货 用途:广泛迅丰电子供应场效应IGBT 原装 INF H20T120 有需要欢迎来电咨询 谢谢
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品牌:*童 型号:STP65NF06，STP4NK60，FQP7N80C，FQP50N06，FQPF8N60C，FQPF10N60C 封装:TO220,TO220AC,TO220AB,TO220F,TO251,TO252,TO-*,TO-247,TO-264,I-PAK,D-PAK,TO-263 *限电压:1200（V） *限电流:40（A） 用途:开关电源,UPS电源，太阳能电源,机箱电源，逆变器,电动车控制器，充电器,电力电源,照明电源,*电源,工控电源,...
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品牌:TOSHIBA/东芝 型号:MG75Q2YS1 批号:A 封装:AAA 营销方式:现货 产品性质:新品 集成程度:小规模 规格尺寸:-（mm） 工作温度:-（℃） 静态功耗:-（mW）*东芝IGBT模块MG75Q2YS1
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品牌:*童 型号:HGTG11N120CND 批号:10+ 封装:TO* 营销方式:现货 产品性质:* 制作工艺:半导体集成HGTG11N120CND *童 TO*封装 原装现货供应深圳市伟隆达电子是一家以代理经销世界各知名品牌集成电路为，集产品销售、方案开发及推广于一体。同时以自己良好的信用，*的质量，有竞争力的价格以及快捷的发货，在行业内*了很好的声...
电话：0755-28195839
品牌:SEMIKRON 型号:SKKD162/16 批号:新年份 封装:模块 营销方式:现货 产品性质:*温馨提示：由于电子产品有缺货价格调动的可能性,*1元商品都是未标价格,欢迎查询,请买家在购买前与店主联系,请勿直接拍下与付款,以免造成不*要的困扰!谢谢合作!深圳市先源电子有限公司专营：世界各模块IC、 SMD/DIP 电阻、电容、二三*管、钽电...
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品牌:FAIRCHILD 型号:FGA15N120ANTD,FGA25N120ANTD，SGH15N60UFD,SGH20N60UFD,SGH40N60UFD,SGH80N60UFD 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:变频器，电磁炉，电焊机设备，UPS电源，电源类 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-N-FET锗N沟道亿隆半导体是一家的电子元件供应商,专向生产开关电源，UPS电源，...
电话：755-82539765
品牌:三菱 型号:CM150DY-24NF 批号:2010+ 封装:IGBT 营销方式:现货 产品性质:* 处理信号:模拟信号 制作工艺:半导体集成 导电类型:双*型 集成程度:中规模 规格尺寸:标准（mm） 工作温度:-40~85（℃） 静态功耗:标准（mW）浩时健电子三菱NF系列(第五代)IGBT模块优势价格供应型号:CM100DY-24NF /CM150DY-24NF产品特点：采用的C...
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种类:电子材料 品牌:西门康 型号:SKM145GAL123DSKM150GAL123DSKM200GAL123DSKM300GAL123DSKM400GAL124DSKM100GAL173DSKM145GAL174DNSKM200GAL173DSKM200GAL125DSKM400GAL125DSKM300GB124DSKM400GB124DSKM200GB174DSKM200GAR173D南京法思特科技有限公司是一家的电力电子元器件代理公司我们代理的产品有：三菱、三社、三垦、...
电话：25-85626818
近日，智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，最新发布第 7代1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管(IGBT)功率模块，与其他同类产品相比，该模块的功率密度更高，且提供高10%的输出功率。该800安培(A) QDual3 模块基于新的场截...
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日宣布推出SCALE-iFlexXLT系列双通道即插即用型门极驱动器，适配单个LV100（三菱）、XHPTM 2（英飞凌）、HPnC（富士电机）以及耐压高达2300V的同等半导体...
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器，新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块，具有增强的保护功能，可确保安全可...
许多应用都出现了采用更小IGBT模块，以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了4.5 kV XHP 3 IGBT模块，旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用...
许多应用都出现了采用更小IGBT模块，以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了4.5 kV XHP3 IGBT模块，旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用2...
IGBT 模块上有一个“续流二极管”。它有什么作用呢？ 当 PWM 波输出的时候，它是维持电机内的电流不断用的。 我在说明变频器逆变原理的时候，用的一个电阻做负载。 电阻做负载，它上面的电流随着电压有通断而通断，上图所示的原理没有问题。 但变频器实际是要驱动电机的，接在电...
IGBT模块封装是将多个IGBT集成封装在一起，以提高IGBT模块的使用寿命和可靠性，体积更小、效率更高、可靠性更高是市场对IGBT模块的需求趋势，这就有待于IGBT模块封装技术的开发和运用。目前流行的IGBT模块封装形式有引线型、焊针型、平板式、圆盘式四种，常见的模块封装技术有很多，各生产商...
如今节能的重要性日益显着，将IGBT模块用作开关器件的应用领域也不断拓展。为提高电能变换器的效率，研究者提出了很多新型拓扑电路，因而市场上对IGBT模块的需求也随之不断攀升。另一方面，由于IGBT的性能已经接近“硅限”，所以需要一种面向应用的IGBT模块设计。就是说，我们要专门为这些电...
由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动
Littelfuse公司是电路保护领域的企业，已扩充其专为电机控制和逆变器应用设计的IGBT模块功率半导体产品。 IGBT功率模块提供广泛的包装设计，现包括半桥、六只装以及S、D、H、W和WB封装的PIM模块，额定值高达1700V和450A. 这些模块依托现代IGBT技术能够可靠、灵活地提供高效快速的开关速度。 ...
