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IGBT模块

(共找到“232”条查询结果)
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  • 品牌:

    富士

  • 型号:

    CVM180BB80

品牌/商标 富士 型号/规格 CVM180BB80 应用范围 电子设备 整流元件 电子管

  • 谢云霞(个体经营)
  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:浙江台州
  • 电话:0576-86445313

  • 型号/规格:

    PM300

  • 品牌/商标:

    西门康

  • 环保类别:

    普通型

南京代理低价格供应西门康IGBT工控模块西门康IGBT型号大全:PM300HHA120 7D30D050EHR MCC250-12i01B QM75E2Y/E3Y-H PM300DSA120 7D50D050EHR MCC250-16i01B QM100TX1-H PM400HSA120 7D75D050EHR MCC310-12i01B TM400HA-M,-H,-24,-2H PM15RHB120 7D75A-050EHR M...

  • 型号/规格:

    E45N50

  • 品牌/商标:

    ST

  • *类别:

    普通型

场效应模块

  • 零件电子
  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东汕头
  • 电话:0754-84430728

  • 型号/规格:

    2*400N-060

  • 品牌/商标:

    富士

  • *类别:

    普通型

N系列(UPS厂家广泛采用) 注:“N”系列1200V IGBT模块已经停产,请选用“P”系列或“S”系列以及第五代“U”系列;“N”系列600V IGBT模块继续正常供货,也可选用第五代“U”系列。 2*75N-060 2*100N-060 2*150N-060 2*200N-060 2*300N-060 2*400N-060 2*600NT...

  • 型号/规格:

    2*75N-060

  • 品牌/商标:

    富士

  • *类别:

    普通型

(1)N系列 注: N系列*产品已经*停产,请选用第五代U系列。 2*75N-060 2*100N-060 2*150N-060 2*200N-060 2*300N-060 2*400N-060 (2)P系列1400V IGBT模块 2*50P-140 2*75P-140 2*100PC-140 2*150PC-140 2*200PB-140 2*300P-140 1*600PX-140 1*600PX-120 (...

  • 型号/规格:

    CM50YE13-12H

  • 品牌/商标:

    MITSUBISHI(三菱)

  • *类别:

    无铅*型

三菱A系列型号对照表,备有大量现货:AJ71C23-S3 A1SHCPU A2SHCPU A2USHCPU-S1 A1SCPUC24-R2 A1SJHCPU A1SCPU A1SCPU-S1 A2SCPU A2USCPU A2USCPU-S1 A2USCPU-S60 A2ASCPU-S60 A2USCPU-S30 A2USCPU-M128 A3USCPU-M128 A1SJHCPU Q2ASCPU Q2ASCPU-S1 Q2ASHCPU Q2...

  • 型号/规格:

    E45N50

  • 品牌/商标:

    ST

  • *类别:

    普通型

主营:场效应管、可控硅、二三*管……

  • 郭四(个体经营)
  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东汕头
  • 电话:0754-84430728

  • 型号/规格:

    IKW30W60T

  • 品牌/商标:

    英飞凌

  • *类别:

    无铅*型

720 pcs 10+ pbf IGBT模块 **原装 ***************************************** 您现货市场**的供应伙伴 丰富的电子*元件采购与分销经验 请*传达任何需求我们时间为您服务 ***************************************** 艾格林(Evergreen Electronics)电子作为一...

  • 型号/规格:

    FS800R07A2E3

  • 品牌/商标:

    英飞凌

  • *类别:

    普通型

HybridPACK™2: FS800R07A2E3 集成了六单元800A/650V IGBT3芯片,内置3个NTC温度传感器,采用AlSiC基板,Si3N4陶瓷*缘基片,*性大幅度*。Tvjmax=175℃,可利用发动机冷却液直接通过IGBT模块散热,降低了系统成本。适于强混或纯电动汽车,输出功...

    品牌/商标 FAIRCHILD/*童 型号/规格 FGL60N100BNTD 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 800V(V) 夹断电压 1200V(V) 漏*电流 60A(mA) 耗散功率 180W(mW) 深圳凌通电子长期供应电焊机IGBT:G60N100 / FGL60N100电流为6...

      品牌:infineon*原装 型号:2ED300E17-S 封装:2ED300C17-S的配套评估板 批号:IGBT驱动板/驱动IC*原装供应

        品牌:EUPEC 型号:2SD315AI-17 批号:09+ 封装:IGBT驱动板 营销方式:现货只求质量,不求高利!

        • 李泽琪
        • 供应商等级: 免费会员
        • 企业类型:经销商
        • 地区:广东深圳
        • 电话:755-82527285

          品牌:IGBT驱动板 型号:IGBT驱动板 机械刚性:刚性 层数:单面 基材:控制板 批发各类逆变焊机,直流焊机IGBT模块,规格多,品种齐,价格公道

            品牌:德国西门康 型号:SKKT92B/18E 批号:09 封装:模块封装 营销方式:现货 产品性质:* 处理信号:数模混合信号 制作工艺:半导体集成 导电类型:双*型 工作温度:-40~125(℃)我公司销售东芝,三菱,富士,西门康,西门子,欧派克(英飞菱),三社,三肯,IXYS,IR,ABB等厂商IGBT,GTR,IPM,PIM,模块,整流桥,可控硅,驱动电路,快...

              品牌:欧派克/英飞凌 型号:*FS100R12KE3 批号:07+ 06+ 封装:标准 现货供应:德国产,Infineon(原EUPEC)牌子,100A/1200V/6单元+制动单元,*现货,智能模块本公司是一家分销世界各名厂模块的公司,主要经营三菱、富士、东芝、三社、英飞凌、西门康、西门子、欧派克,IR、系列GTR、IGBT、IPM、PIM、模块。型号繁多,欢迎各地新老客...

                品牌:EUPEC 型号:FS100R12KT3 批号:?N/A 封装:模块 营销方式:现货 深圳市鑫源兴电子华强北赛格广场 1A015 柜台新亚洲二期 N3C688 房间模块系列,二三*管,电阻电容,集成电路等 SMD/DIP各类电子元器件及配套服务 /传真:手机: 林生QQ:E-mail:

                • 翁泽勇
                • 供应商等级: 免费会员
                • 企业类型:经销商
                • 地区:广东深圳
                • 电话:0755-83685449

                  品牌:Mitsubishi三菱 型号:CM300DY-12H CM300E3Y-12E 应用范围:整流桥、高压硅我公司代理销售以下IGBT模块,价格有优势,大量现货库存三菱IGBT GTR IPM PIM二*管可控硅整流桥CM300HA-12H CM200HA-24H CM400HA-12H CM300HA-24HCM600HA-12H CM400HA-24HCM600HU-12H CM600HA-24HCM400HU-24H CM600HU-24HCM200HU-24H CM800HA-24HC...

                  • 品牌:

                    SIE德国西门子AG

                  • 型号:

                    BSM300GA120DN11

                  品牌/商标 SIE德国西门子AG 型号/规格 BSM300GA120DN11 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-HBM/半桥组件 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 M*金属半导体 开启电压 11(V)(V) 夹断电压 11(V)(V) 跨导 4(μS)(μS) *间电容 4(pF)(pF) 低频噪声系数 4(dB)(dB)...

                    品牌:ST 型号:TIP36CW 批号:09+ 封装:TO-247 营销方式:现货 产品性质:* 处理信号:数字信号 制作工艺:半导体集成 导电类型:双*型 集成程度:小规模 规格尺寸:11(mm) 工作温度:-40~85(℃) 静态功耗:11(mW)热卖!

                      品牌:Toshiba东芝 型号:MIG20J105LA 控制方式:GTO(门*关断) *数:多* 封装材料:树脂封装东芝IGBT模块 拆机 8成新

                      IGBT模块行业资讯

                      什么是IGBT模块?

                      •   IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+ 区称为源区,附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区(包括P+ 和P 一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区( Subchannel region )。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区( Drain injector ),它是IGBT 特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP 晶体管提供基极电流,使IGBT 导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET ,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后,从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子),对N 一层进行电导调制,减小N 一层的电阻,使IGBT 在高电压时,也具有低的通态电压。
                      • IGBT模块

                      IGBT模块技术资料

                      • IGBT模块上的续流二极管(续流二极管作用)[2022-12-23]

                        IGBT 模块上有一个“续流二极管”。它有什么作用呢?  当 PWM 波输出的时候,它是维持电机内的电流不断用的。  我在说明变频器逆变原理的时候,用的一个电阻做负载。  电阻做负载,它上面的电流随着电压有通断而通断,上图所示的原理没有问题。  但变频器实际是要驱动电机的,接在电...

                      • IGBT模块封装流程原理图[2018-11-15]

                        IGBT模块封装是将多个IGBT集成封装在一起,以提高IGBT模块的使用寿命和可靠性,体积更小、效率更高、可靠性更高是市场对IGBT模块的需求趋势,这就有待于IGBT模块封装技术的开发和运用。目前流行的IGBT模块封装形式有引线型、焊针型、平板式、圆盘式四种,常见的模块封装技术有很多,各生产商...

                      • 适用于高频开关的高速IGBT模块特点介绍[2018-10-29]

                        如今节能的重要性日益显着,将IGBT模块用作开关器件的应用领域也不断拓展。为提高电能变换器的效率,研究者提出了很多新型拓扑电路,因而市场上对IGBT模块的需求也随之不断攀升。另一方面,由于IGBT的性能已经接近“硅限”,所以需要一种面向应用的IGBT模块设计。就是说,我们要专门为这些电...

                      • IGBT模块使用中的注意事项[2016-05-09]

                        由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点:在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动

                      • Littelfuse为电机控制扩充IGBT功率模块[2014-11-20]

                        Littelfuse公司是电路保护领域的企业,已扩充其专为电机控制和逆变器应用设计的IGBT模块功率半导体产品。 IGBT功率模块提供广泛的包装设计,现包括半桥、六只装以及S、D、H、W和WB封装的PIM模块,额定值高达1700V和450A. 这些模块依托现代IGBT技术能够可靠、灵活地提供高效快速的开关速度。 ...

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